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1. (WO2013078465) CONDENSATEURS DE DÉRIVATION POUR PUISSANCE DE POLARISATION HAUTE TENSION DANS LA PLAGE RF MOYENNE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/078465    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/066467
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 23.11.2012
CIB :
H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470 (US)
Inventeurs : SATO, Arthur; (US)
Mandataire : LEAVELL, ESQ. George B.; Martine Penilla Group, LLP 710 Lakeway Drive, Suite 200 Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
13/684,065 21.11.2012 US
61/563,526 23.11.2011 US
Titre (EN) BYPASS CAPACITORS FOR HIGH VOLTAGE BIAS POWER IN THE MID FREQUENCY RF RANGE
(FR) CONDENSATEURS DE DÉRIVATION POUR PUISSANCE DE POLARISATION HAUTE TENSION DANS LA PLAGE RF MOYENNE FRÉQUENCE
Abrégé : front page image
(EN)A system for decoupling arcing RF signals in a plasma chamber including a top electrode, an electrostatic chuck for supporting a semiconductor wafer, and a capacitor coupled between the at least one of a plurality of clamping electrodes in the surface of the electrostatic chuck and a baseplate of the electrostatic chuck, the capacitor having a capacitance of greater than about 19 nanofarads, the capacitor disposed within an interior volume of the electrostatic chuck. A method of decoupling arcing RF signals in a plasma chamber is also disclosed.
(FR)L'invention concerne un système qui permet de découpler des signaux RF de formation d'arc dans une chambre à plasma comprenant une électrode supérieure, un mandrin électrostatique conçu pour porter une plaquette de semi-conducteur, et un condensateur couplé entre au moins une électrode faisant partie d'une pluralité d'électrodes de blocage dans la surface du mandrin électrostatique et une plaque de base du mandrin électrostatique, le condensateur ayant une capacitance supérieure à environ 19 nanofarads, le condensateur étant disposé au sein d'un volume intérieur du mandrin électrostatique. L'invention concerne également un procédé de découplage des signaux RF de formation d'arc dans une chambre à plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)