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1. (WO2013078341) TRANSISTOR À GRANDE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE DE GROUPE III-N EN MODE D'ENRICHISSEMENT DOTÉ D'UN CAPOT À POLARISATION INVERSÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/078341 N° de la demande internationale : PCT/US2012/066296
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 21.11.2012
CIB :
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 21/335 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED[US/US]; P. O. Box 655474 Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474, US
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED[JP/JP]; 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku Tokyo, 160-8366, JP (JP)
Inventeurs : BAHL, Sandeep; US
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P. O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474, US
Données relatives à la priorité :
13/302,99722.11.2011US
Titre (EN) ENHANCEMENT-MODE GROUP III-N HIGH ELECTRONIC MOBILITY TRANSISTOR WITH REVERSE POLARIZATION CAP
(FR) TRANSISTOR À GRANDE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE DE GROUPE III-N EN MODE D'ENRICHISSEMENT DOTÉ D'UN CAPOT À POLARISATION INVERSÉE
Abrégé :
(EN) An enhancement-mode group III-N high electron mobility transistor (HEMT) (200) with a reverse polarization cap is formed in a method that utilizes a reverse polarization cap structure (212), such as an InGaN cap structure, to deplete the two-dimensional electron gas (2DEG) and form a normally off device, and a spacer layer (210) that lies below the reverse polarization cap structure and above the barrier layer (118) of the HEMT which allows the reverse polarization cap layer to be etched without etching into the barrier layer.
(FR) La présente invention a trait à un transistor à grande mobilité d'électrons de groupe III-N en mode d'enrichissement (HEMT) (200) doté d'un capot à polarisation inversée, lequel transistor est formé au moyen d'un procédé qui utilise une structure de capot à polarisation inversée (212), comme une structure de capot InGaN, de manière à réduire le gaz électronique bidimensionnel (2DEG) et à former un dispositif normalement éteint, et une couche d'entretoise (210) qui repose sous la structure de capot à polarisation inversée et au-dessus de la couche d'arrêt (118) du HEMT, ce qui permet à la couche du capot à polarisation inversée d'être gravée sans graver la couche d'arrêt.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)