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1. (WO2013078097) RÉGULATION DE TEMPÉRATURE À DOUBLE ZONE D'ÉLECTRODES SUPÉRIEURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/078097    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/065677
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 16.11.2012
CIB :
C23F 1/08 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [--/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : MARAKHTANOV, Alexei; (US).
DHINDSA, Rajinder; (US).
BISE, Ryan; (US).
LI, Lumin; (US).
NAM, Sang, Ki; (US).
ROGERS, Jim; (US).
HUDSON, Eric; (US).
DELGADINO, Gerardo; (US).
BAILEY, III, Andrew, D.; (US).
KELLOGG, Mike; (US).
DE LA LLERA, Anthony; (US)
Mandataire : LEAVELL, George, B.; Martine Penilla Group, LLP 710 Lakeway Drive, Suite 200 Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
13/420,949 15.03.2012 US
61/563,509 23.11.2011 US
Titre (EN) DUAL ZONE TEMPERATURE CONTROL OF UPPER ELECTRODES
(FR) RÉGULATION DE TEMPÉRATURE À DOUBLE ZONE D'ÉLECTRODES SUPÉRIEURES
Abrégé : front page image
(EN)A system and method of plasma processing includes a plasma chamber including a substrate support and an upper electrode opposite the substrate support, the upper electrode having a plurality of concentric temperature control zones and a controller coupled to the plasma chamber. Figure 1A is side view a typical plasma chamber 100. The typical plasma chamber 100 has a single showerhead type upper electrode 102, a substrate support 140 for supporting a substrate 130 as the substrate is being processed by a plasma 150.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé de traitement par plasma qui comprend une chambre de plasma comprenant un support de substrat et une électrode supérieure à l'opposé du support de substrat, et l'électrode supérieure ayant une pluralité de zones de régulation de température concentriques et un dispositif de commande couplé à la chambre de plasma. La Figure 1A est une vue latérale d'une chambre de plasma typique 100. La chambre de plasma typique 100 a une électrode supérieure 102 de type tête de douche unique, un support de substrat 140 pour supporter un substrat 130 alors que le substrat est en cours de traitement par un plasma 150.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)