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1. (WO2013078068) DISPOSITIFS PASSIFS POUR MÉMOIRE NON VOLATILE 3D
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/078068    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/065374
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 15.11.2012
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, TX 75024 (US) (Tous Sauf US).
HIGASHITANI, Masaaki [JP/US]; (US) (US only).
RABKIN, Peter [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : HIGASHITANI, Masaaki; (US).
RABKIN, Peter; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & Deniro, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Franciso, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
13/301,573 21.11.2011 US
Titre (EN) PASSIVE DEVICES FOR 3D NON-VOLATILE MEMORY
(FR) DISPOSITIFS PASSIFS POUR MÉMOIRE NON VOLATILE 3D
Abrégé : front page image
(EN)Passive devices such as resistors and capacitors are provided for a 3D non-volatile memory device. In a peripheral area of a substrate, a passive device includes alternating layers of a dielectric (L0, L2,...,L12) such as oxide and a conductive material (L1, L3,...,L13) such as heavily doped polysilicon or metal silicide in a stack. The substrate includes one or more lower metal layers (M1) connected to circuitry. One or more upper metal layers (DO) are provided above the stack. Contact structures (2802...2814) extend from the layers of conductive material to portions of the one or more upper metal layers so that the layers of conductive material are connected to one another in parallel, for a capacitor, or serially, for a resistor, by the contact structures and the at least one upper metal layer. Additional contact structures (2906, 2908) can connect the circuitry to the one or more upper metal layers.
(FR)L'invention concerne des dispositifs passifs tels que des résistances et des condensateurs pour un dispositif de mémoire non volatile 3D. Un dispositif passif comprend dans une zone périphérique du substrat des couches alternées d'un diélectrique (L0, L2,...,L12), comme un oxyde, et un matériau conducteur (L1, L3,...,L13), comme un polysilicium fortement dopé ou un siliciure métallique, lesdites couches étant empilées. Ledit substrat comprend une ou plusieurs couches métalliques inférieures (M1) reliées à la circuiterie. Une ou plusieurs couches métalliques supérieures (DO) sont prévues au-dessus de l'empilement. Des structures de contact (2802...2814) s'étendent depuis des couches de matériau conducteur, en direction de parties d'une ou de plusieurs couches métalliques supérieures, de sorte que les couches de matériau conducteur sont interconnectées en parallèle, pour un condensateur, ou en série, pour une résistance, par les structures de contact et la au moins une couche métallique supérieure. Des structures de contact supplémentaires (2906, 2908) peuvent connecter la circuiterie à la ou aux couches métalliques supérieures.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)