WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013077064) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/077064    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/073284
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 12.09.2012
CIB :
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 8916-5, Takayama-cho, Ikoma-shi, Nara 6300192 (JP) (Tous Sauf US).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATAYAMA, Tomoaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MASUDA, Takeyoshi; (JP).
HATAYAMA, Tomoaki; (JP)
Mandataire : Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-253556 21.11.2011 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A silicon carbide layer (50) includes a first region (51) having a first conductivity type, a second region (52) that is disposed on the first region and has a second conductivity type, and a third region (53) that is disposed on the second region (52) and has the first conductivity type. A trench (TR) with an inner surface is formed on the silicon carbide layer (50). The trench (TR) passes through the second and third regions (52, 53). The inner surface of the trench (TR) has a first side wall (SW1), and a second side wall (SW2) that is positioned deeper than the first side wall (SW1) and has a portion comprising the second region (52). The slope of the first side wall (SW1) is smaller than the slope of the second of the second side wall (SW2).
(FR)Selon l'invention, une couche de carbure de silicium (50) comprend une première région (51) ayant un premier type de conductivité, une deuxième région (52) qui est disposée sur la première région et qui a un second type de conductivité, et une troisième région (53) qui est disposée sur la seconde région (52) et qui a le premier type de conductivité. Une tranchée (TR) avec une surface interne est formée sur la couche de carbure de silicium (50). La tranchée (TR) traverse les deuxième et troisième régions (52, 53). La surface interne de la tranchée (TR) a une première paroi latérale (SW1) et une seconde paroi latérale (SW2) qui est positionnée plus profondément que la première paroi latérale (SW1) et qui a une partie comprenant la deuxième région (52). La pente de la première paroi latérale (SW1) est plus faible que la pente de la seconde paroi latérale (SW2).
(JA) 炭化珪素層(50)は、第1の導電型を有する第1の領域(51)と、第1の領域(51)上に設けられ、第2の導電型を有する第2の領域(52)と、第2の領域(52)の上に設けられ、第1の導電型を有する第3の領域(53)とを含む。炭化珪素層(50)上には内面を有するトレンチ(TR)が形成されている。トレンチ(TR)は第2および第3の領域(52、53)を貫通している。トレンチ(TR)の内面は、第1の側壁(SW1)と、第1の側壁(SW1)よりも深くに位置しかつ第2の領域(52)からなる部分を有する第2の側壁(SW2)とを有する。第1の側壁(SW1)の傾斜は第2の側壁(SW2)の傾斜に比して小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)