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1. (WO2013076527) CIRCUIT INTÉGRÉ, BOÎTIER DE CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DESTINÉ À FOURNIR UNE PROTECTION CONTRE UN ÉVÈNEMENT DE DÉCHARGE ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/076527    N° de la demande internationale :    PCT/IB2011/055231
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 22.11.2011
CIB :
H01L 23/60 (2006.01), G11C 5/14 (2006.01), H05K 9/00 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
SOFER, Sergey [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
NEIMAN, Valery [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
PRIEL, Michael [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : SOFER, Sergey; (IL).
NEIMAN, Valery; (IL).
PRIEL, Michael; (IL)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE AND METHOD OF PROVIDING PROTECTION AGAINST AN ELECTROSTATIC DISCHARGE EVENT
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ, BOÎTIER DE CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DESTINÉ À FOURNIR UNE PROTECTION CONTRE UN ÉVÈNEMENT DE DÉCHARGE ÉLECTROSTATIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit comprising a power supply node (118), a ground node (120) and a gated domain (104) coupled between the power node (118) and the ground node. A Charged Device Model (CDM) electrostatic discharge (ESD) protection module (202) is provided for shunting electrical energy of a CDM ESD event away from the gated domain (104). A gating switch (116) is also arranged to make an electrical connection in a connected state between the gated domain (104) and at least one of the power node (118) and the ground node (120). ESD gating control circuitry (200, 216) is coupled to the CDM ESD protection module (202) and arranged to control shunting of energy away from the gated domain (104) by the CDM ESD protection module (202), thereby avoiding the energy flowing through the gated domain (104). The ESD gating control circuitry (200, 216) is arranged to inhibit actuation of the CDM ESD protection module (202) to prevent response to CDM ESD events when the gating domain (104) is being powered-up.
(FR)L'invention concerne un circuit intégré comprenant un nœud d'alimentation électrique (118), un nœud de masse (120) et un domaine commuté (104) raccordé entre le nœud d'alimentation électrique (118) et le nœud de masse. Un module de protection (202) contre les décharges électrostatiques (ESD) répondant au modèle du composant chargé (CDM) est prévu pour dériver l'énergie électrique d'un événement de décharge ESD CDM à l'écart du domaine commuté (104). Un commutateur (116) est en outre conçu pour établir, à l'état connecté, une connexion électrique entre le domaine commandé (104) et au moins un nœud entre le nœud d'alimentation électrique (118) et le nœud de masse (120). Une circuiterie de commande de commutation en cas de d'ESD (200, 216) est couplée au module de protection contre les décharges ESD CDM (202), et est conçue pour commander la dérivation de l'énergie à l'écart du domaine commuté (104) par le module de protection contre les décharges ESD CDM (202), ce qui évite la circulation d'énergie à travers le domaine commuté (104). La circuiterie de commande de commutation en cas d'ESD (200, 216) est conçue pour empêcher l'actionnement du module de protection contre les décharges ESD CDM (202) afin de l'empêcher de répondre aux événements de décharges ESD CDM lorsque le domaine commuté (104) est sous tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)