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PATENTSCOPE

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1. (WO2013076073) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/076073 N° de la demande internationale : PCT/EP2012/073091
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 20.11.2012
CIB :
H01L 51/52 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs : BAISL, Richard; DE
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Grillparzerstr. 14 81675 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2011 086 689.221.11.2011DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTO-ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTO-ELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Abrégé : front page image
(EN) A method for producing an optoelectronic component comprises the following steps: formation of a first electrode (13) on a substrate (12); formation of an organic functional layer structure (14) on the first electrode (13); formation of a second electrode (15) on the organic functional layer structure (14); formation of at least one contact (16) for making contact with the first and/or second electrode (13, 15); formation of an encapsulating layer (18) over the layer structure (14) and the contact (16); removal of the encapsulating layer (18) over the contact (16) by means of an anisotropic etching process.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique, comprenant les étapes suivantes : formation d'une première électrode (13) sur un substrat (12) ; formation d'une structure de couches organiques fonctionnelles (14) sur la première électrode (13) ; formation d'une deuxième électrode (15) sur la structure de couches organiques fonctionnelles (14) ; formation d'au moins un contact (16) pour relier électriquement la première et/ou la deuxième électrode (13, 15) ; formation d'une couche d'encapsulation (18) par dessus la structure de couches (14) et le contact (16) ; enlèvement de la couche d'encapsulation (18) au-dessus du contact (16) par un procédé de gravure anisotrope.
(DE) Verfahren zum Herstellen eines opto-elektronischen Bauelements und opto-elektronisches Bauelement Ein Verfahren zum Herstellen eines opto-elektronischen Bauelements weist die Schritte auf: Bilden einer ersten Elektrode (13) auf einem Substrat (12); Bilden einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (14) auf der ersten Elektrode (13); Bilden einer zweiten Elektrode (15) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (14); Bilden zumindest eines Kontakts (16) zum Kontaktieren der ersten und/oder zweiten Elektrode (13, 15); Bilden einer Verkapselungsschicht 18 (18) über der Schichtenstruktur (14) und dem Kontakt (16); Abtragen der Verkapselungsschicht (18) über dem Kontakt (16) mit Hilfe eines anisotropen Ätzverfahrens.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)