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1. (WO2013075901) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'ENCAPSULAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/075901 N° de la demande internationale : PCT/EP2012/070972
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 23.10.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 13.09.2013
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : MICRO CRYSTAL AG[CH/CH]; Mühlestrasse 14 CH-2540 Grenchen, CH
Inventeurs : DEILLON, Léa; CH
DALLA PIAZZA, Silvio; CH
HESSLER, Thierry; CH
Mandataire : ICB INGÉNIEURS CONSEILS EN BREVETS SA; Y. Couillard Fbg de l'Hôpital 3 CH-2001 Neuchâtel, CH
Données relatives à la priorité :
11190264.923.11.2011EP
Titre (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING AN ENCAPSULATING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'ENCAPSULAGE
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to an element (2, 4, 44, 64) arranged to interact with another part (4, 2) in order to form an encapsulating device (3) for a component (5) comprising the element (2, 4) at least partially coated with a metallization (11, 9, 49, 69). According to the invention, said metallization comprises at least one metal layer (15) protected by an intermetallic compound (19, 59, 79) which is covered by a non-diffused portion (12', 52', 72') of a material the melting point of which is below 250°C. The invention also relates to a process (21) for manufacturing an encapsulating device (3).
(FR) L'invention se rapporte à un élément (2, 4, 44, 64) agencé pour coopérer avec une autre pièce (4, 2) afin de former un dispositif d'encapsulage (3) d'un composant (5) comportant l'élément (2, 4) au moins partiellement revêtu d'une métallisation (11, 9, 49, 69). Selon l'invention, ladite métallisation comporte au moins une couche (15) de métal protégé par un intermétallique (19, 59, 79) lequel est recouvert par une partie (12', 52', 72') non diffusée d'un matériau dont le point de fusion est inférieur à 250 °C. L'invention concerne également un procédé (21) de fabrication d'un dispositif d'encapsulage (3).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)