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1. (WO2013075383) STRUCTURES D'ENCAPSULATION DE TYPE BOÎTIER PLAT CARRÉ SANS PLOMB (QFN) ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/075383    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/000018
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 06.01.2012
CIB :
H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : JIANGSU CHANGJIANG ELELCTRONICS TECHNOLOGY CO. LTD [CN/NA]; No. 275 Binjiang Road, Jiangyin Wuxi, Jiangsu 214431 (CN) (Tous Sauf US).
WANG, Xinchao [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIANG, Zhizhong [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Xinchao; (CN).
LIANG, Zhizhong; (CN)
Mandataire : JIANGYIN TONGSHENG PATENT AGENCY; No.125 North Hongqiao Road Jiangyin, Wuxi Jiangsu 214431 (CN)
Données relatives à la priorité :
201110374237.2 22.11.2011 CN
Titre (EN) QUAD FLAT NO-LEAD (QFN) PACKAGING STRUCTURES AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) STRUCTURES D'ENCAPSULATION DE TYPE BOÎTIER PLAT CARRÉ SANS PLOMB (QFN) ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A quad flat no-lead (QFN) packaging structure and a method for manufacturing the same are provided. The QFN packaging structure includes a metal substrate, a first outer die pad (1) formed based on the metal substrate, and a first die (5) coupled to a top surface of the first outer die pad (1). The QFN packaging structure also includes a plurality of input/output (I/O) pads (2) formed based on the metal substrate, and a first metal layer containing a plurality of inner leads (4) corresponding to the plurality of I/O pads (2) and extending to proximity of the first die (5). The first metal layer is formed on the metal substrate by a multi-layer electrical plating process such that a lead pitch of the plurality of inner leads (4) is significantly reduced. Further, the QFN packaging structure includes metal wires (6) connecting the first die (5) and the plurality of inner leads (4), and a second metal layer (9) formed on a back surface of the plurality of I/O pads (2) and the first die pad (1). The first die (5), the plurality of inner leads (4), and metal wires (6) are sealed with a molding compound (7).
(FR)L'invention concerne une structure d'encapsulation de type boîtier plat carré sans plomb (QFN) et son procédé de fabrication. Cette structure d'encapsulation QFN comprend un substrat métallique, une première pastille de fixation de puce externe (1) formée sur le substrat métallique, et une première puce (5) couplée à la surface supérieure de la première pastille (1). La structure d'encapsulation QFN comprend également une pluralité de plots d'entrée/sortie (I/O) (2) formés sur le substrat métallique, et une première couche métallique contenant une pluralité de conducteurs internes (4) correspondant à la pluralité de plots I/O (2) et s'étendant jusqu'à proximité de la première puce (5). La première couche métallique est formée sur le substrat métallique par un procédé de dépôt électrolytique de multiples couches de telle sorte que le pas entre conducteurs de la pluralité de conducteurs internes (4) est sensiblement réduit. La structure d'encapsulation QFN comprend aussi des fils métalliques (6) reliant la première puce (5) et la pluralité de conducteurs internes (4), et une deuxième couche métallique (9) formée sur la surface arrière de la pluralité de plots I/O (2) et de la première pastille de fixation de puce (1). La première puce (5), la pluralité de conducteurs internes (4) et les fils métalliques (6) sont scellés avec un composé de moulage (7).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)