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1. (WO2013075317) STRUCTURE DE MATÉRIAU DE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE POUR COUCHE CONDUCTRICE TRANSPARENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/075317    N° de la demande internationale :    PCT/CN2011/082869
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 24.11.2011
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGYCO., LTD. [CN/CN]; WANG, Kexin NO.9-2 Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132 (CN) (Tous Sauf US).
CHEN, Lin [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Lin; (CN)
Mandataire : ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY; WANG, Kexin Cyber Times Tower A, Room 1409 Tian'an Cyber Park, Futian District ShenZhen, Guangdong 518040 (CN)
Données relatives à la priorité :
201120462142.1 21.11.2011 CN
Titre (EN) SPUTTERING TARGET MATERIAL CONSTRUCTION OF TRANSPARENT CONDUCTIVE LAYER
(FR) STRUCTURE DE MATÉRIAU DE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE POUR COUCHE CONDUCTRICE TRANSPARENTE
(ZH) 透明导电层的溅射靶材构造
Abrégé : front page image
(EN)A sputtering target material construction (10, 10a, 10b, 10c) of a transparent conductive layer comprises a central plate portion (11, 11a, 11b, 11c), two short side thickness-varied end portions (12, 12a, 12b, 12c), and two long side thickness-varied edge portions (13a), the thickness of the short side thickness-varied end portion (12, 12a, 12b, 12c) being greater than the thickness of the central plate portion (11), and the thickness of the long side thickness-varied edge portion (13a) being less than the thickness of the central plate portion (11). The short side thickness-varied end portion (12, 12a, 12b, 12c) has a non-planar short side end surface. In the sputtering target material construction (10, 10a, 10b, 10c) of the transparent conductive layer, different thickness variation solutions are designed at different sites according to the actual condition of material consumption, so as to reduce the waste of the sputtering target material during use, thereby saving the fabrication cost of the transparent conductive layer.
(FR)Cette invention concerne une structure de matériau de cible de pulvérisation cathodique (10, 10a, 10b, 10c) d'une couche conductrice transparente, comprenant une partie centrale en forme de plaque (11, 11a, 11b, 11c), deux parties d'extrémité côté court (12, 12a, 12b, 12c) présentant une épaisseur différente, et deux parties de bord côté long (13a) présentant une épaisseur différente. L'épaisseur de la partie d'extrémité côté court (12, 12a, 12b, 12c) est supérieure à l'épaisseur de la partie centrale en forme de plaque (11) et l'épaisseur de la partie de bord côté long (13a) est inférieure à l'épaisseur de la partie centrale en forme de plaque (11). La partie d'extrémité côté court (12, 12a, 12b, 12c) d'épaisseur différente présente une surface d'extrémité côté court non plane. La structure de matériau cible de pulvérisation cathodique (10, 10a, 10b, 10c) de la couche conductrice transparente est conçue de manière à présenter des parties avec des épaisseurs différentes en fonction de la consommation réelle du matériau, de façon à réduire le gaspillage de matériau cible de pulvérisation lors de l'utilisation, ce qui permet de réduire le coût de fabrication de la couche conductrice transparente.
(ZH)一种透明导电层的溅射靶材构造(10、10a、10b、10c),包含一中央板状部(11、11a、11b、11c)、二短边厚度变化端部(12、12a、12b、12c)及二长边厚度变化边部(13a),其中所述短边厚度变化端部(12、12a、12b、12c)的厚度大于所述中央板状部(11)的厚度;以及所述长边厚度变化边部(13a)的厚度小于所述中央板状部(11)的厚度。另外,所述短边厚度变化端部(12、12a、12b、12c)具有一非平面状的短边端面。所述透明导电层的溅射靶材构造(10、10a、10b、10c)依据材料实际的消耗情况,在不同的部位设计不同的厚度变化方案,以减少所述溅射靶材在使用过程中材料的浪费,从而节省透明导电层的制作成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)