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1. (WO2013075269) STRUCTURE DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES POUR COURANT ALTERNATIF À HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/075269    N° de la demande internationale :    PCT/CN2011/001962
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 25.11.2011
CIB :
H01L 33/54 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 27/15 (2006.01)
Déposants : HELIO OPTOELECTRONICS CORPORATION [CN/CN]; No.276, Daming Rd. Zhudong Town Hsinchu County Taiwan (CN) (Tous Sauf US).
PAN, Ching-Jen [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CHENG, Wei-Tai [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CHEN, Ming-Hung [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : PAN, Ching-Jen; (CN).
CHENG, Wei-Tai; (CN).
CHEN, Ming-Hung; (CN)
Mandataire : BEIJING ZHONGYUAN HUAHE INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD; Room 909, Huibin Building Tower A No.8, Beichendong Street Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH-VOLTAGE AC LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES POUR COURANT ALTERNATIF À HAUTE TENSION
(ZH) 高电压交流发光二极管结构
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a high-voltage AC light emitting diode structure (100), including: a circuit substrate (200); and a plurality of high-voltage LED chips (300). The high-voltage LED chip (300) includes: a first substrate (21), an adhesive layer (22), a first Ohm connection layer (23), an epitaxy layer (24), a first insulation layer (25), at least two first conductive plates (26), at least two second conductive plates (27), and a second substrate (50). A high-voltage LED chip (300) with the wafer level can be combined with the circuit substrate (200) to manufacture a small high-voltage AC light emitting diode structure (100).
(FR)L'invention concerne une structure de diodes électroluminescentes pour courant alternatif à haute tension (100), comprenant : un substrat de circuit (200) ; et une pluralité de puces de DEL à haute tension (300). La puce de DEL à haute tension (300) comprend : un premier substrat (21), une couche adhésive (22), une première couche de connexion ohmique (23), une couche d'épitaxie (24), une première couche d'isolation (25), au moins deux premières plaques conductrices (26), au moins deux secondes plaques conductrices (27) et un second substrat (50). Une puce de DEL à haute tension (300) au niveau de la tranche peut être combinée avec le substrat de circuit (200) pour fabriquer une petite structure de diodes électroluminescentes pour courant alternatif à haute tension (100).
(ZH)提供一种高电压交流发光二极管结构(100),其包括:电路基板(200);以及多个高压LED芯片(300)。高压LED芯片(300)包括:第一基材(21);粘着层(22);第一欧姆连接层(23);磊晶层(24);第一绝缘层(25);至少两个第一导电板(26);至少两个第二导电板(27);以及第二基材(50)。可以以晶圆级的高压LED芯片(300)结合电路基板(200),制造出小体积的高电压交流发光二极管结构(100)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)