WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013075209) OXYDATION DE COUCHES MÉTALLIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/075209    N° de la demande internationale :    PCT/CA2011/050729
Date de publication : 30.05.2013 Date de dépôt international : 24.11.2011
CIB :
B32B 18/00 (2006.01), C01G 27/02 (2006.01), H01B 19/04 (2006.01), H01B 3/10 (2006.01), H01G 4/10 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF MANITOBA [CA/CA]; 631 Drake Centre 181 Freedman Crescent Winnipeg, Manitoba R3T 5V4 (CA) (Tous Sauf US).
MINKO, Auxence [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
BUCHANAN, Douglas A. [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : MINKO, Auxence; (CA).
BUCHANAN, Douglas A.; (CA)
Mandataire : BEGLEITER RODIN, Leah; Blake, Cassels & Gradydon LLP Box 25, Commerce Court West 199 Bay Street, Suite 4000 Toronto, Ontario M5L 1A9 (CA)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) OXIDATION OF METALLIC FILMS
(FR) OXYDATION DE COUCHES MÉTALLIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Methods for the aqueous oxidation of metallic films are described. For example, a film of hafnium metal on a silicon substrate can be oxidized to hafnium dioxide using hot deionized water. Methods for fabricating electrical components such as capacitors and field effect transistors using the oxidized metallic films are also described. For example, capacitors having a hafnium dioxide dielectric layer can be fabricated.
(FR)L'invention porte sur des procédés pour l'oxydation de couches métalliques en phase aqueuse. Par exemple, une couche d'hafnium métallique présent sur un substrat en silicium peut être oxydée en dioxyde d'hafnium à l'aide d'eau désionisée chaude. L'invention porte également sur des procédés pour la fabrication de composants électriques tels que des condensateurs et des transistors à effet de champ utilisant les couches métalliques oxydées. Par exemple, des condensateurs ayant une couche diélectrique de dioxyde d'hafnium peuvent être fabriqués.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)