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1. (WO2013074543) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'ESSAI À CHAUD À HAUT DÉBIT POUR DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À LUMINOSITÉ ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/074543 N° de la demande internationale : PCT/US2012/064873
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 13.11.2012
CIB :
G01K 11/20 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION[US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs : SOLARZ, Richard; US
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; KLA-Tencor Corporation Legal Department One Technology Drive Milpitas, CA 93035, US
Données relatives à la priorité :
13/673,94709.11.2012US
61/559,41114.11.2011US
61/560,61416.11.2011US
Titre (EN) HIGH THROUGHPUT HOT TESTING METHOD AND SYSTEM FOR HIGH BRIGHTNESS LIGHT EMITTING DIODES
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'ESSAI À CHAUD À HAUT DÉBIT POUR DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À LUMINOSITÉ ÉLEVÉE
Abrégé : front page image
(EN) A method of performing a hot test of a wafer-level, packaged high-brightness phosphor converted light-emitting diode (pc-HBLED) includes selectively heating portions of the phosphor layer using a laser to provide a predetermined temperature gradient in the phosphor layer. The selective heating can directly heat the silicone in a silicone-based phosphor layer, or directly heat the active ion(s) of the phosphor in a LumiramicTM-based phosphor or even the active ion(s) of a silicone-based phosphor layer. A current is applied to the InGaN film to establish a predetermined temperature at the InGaN film junction, the film junction being adjacent to the phosphor layer. Photometric measurements are performed on the HBLED after the selective heating and during the applied electroluminescent current. This method quickly establishes the temperatures and temperature gradients in the HBLED consistent with those of an operating, product-level HBLED, thereby ensuring accurate binning of the HBLED.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mise en œuvre d'un essai à chaud d'une diode électroluminescente encapsulée convertie par luminophore à luminosité élevée (pc-HBLED) sur tranche. Le procédé comprend le chauffage sélectif de parties de la couche de luminophore au moyen d'un laser pour produire un gradient de température prédéterminé dans la couche de luminophore. Le chauffage sélectif peut chauffer directement la silicone d'une couche de luminophore à base de silicone, ou chauffer directement le ou les ions actifs du luminophore dans un luminophore à base de LumiramicTM ou même le ou les ions actifs d'une couche de luminophore à base de silicone. Un courant est appliqué au film d'InGaN pour établir une température prédéterminée au niveau de la jonction du film d'InGaN, la jonction du film étant adjacente à la couche de luminophore. Des mesures photométriques sont effectuées sur la HBLED après le chauffage sélectif et pendant l'application du courant électroluminescent. Ce procédé permet d'établir rapidement les températures et les gradients de températures dans la HBLED qui correspondent à ceux d'une HBLED d'un produit en fonctionnement, ce qui permet d'assurer la catégorisation précise de la HBLED.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)