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1. (WO2013074353) CELLULES DE MÉMOIRE, DISPOSITIFS INTÉGRÉS ET PROCÉDÉS PERMETTANT DE FORMER DES CELLULES DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/074353    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/063962
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 07.11.2012
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; A Corporation Of The State Of Delaware 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US)
Inventeurs : REDAELLI, Andrea; (IT).
PIROVANO, Agostino; (IT).
RUSSO, Ugo; (IT).
LAVIZZARI, Simone; (IT)
Mandataire : MARTIN, Mark S; Wells St. John P.S. 601 West First Avenue Suite 1300 Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
13/298,722 17.11.2011 US
Titre (EN) MEMORY CELLS, INTEGRATED DEVICES, AND METHODS OF FORMING MEMORY CELLS
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE, DISPOSITIFS INTÉGRÉS ET PROCÉDÉS PERMETTANT DE FORMER DES CELLULES DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments include integrated devices, such as memory cells. The devices may include chalcogenide material, an electrically conductive material over the chalcogenide material, and a thermal sink between the electrically conductive material and the chalcogenide material. The thermal sink may be of a composition that includes an element in common with the electrically conductive material and includes an element in common with the chalcogenide material. Some embodiments include a method of forming a memory cell. Chalcogenide material may be formed over heater material. Electrically conductive material may be formed over the chalcogenide material. A thermal sink may be formed between the electrically conductive material and the chalcogenide material. The thermal sink may be of a composition that includes an element in common with the electrically conductive material and includes an element in common with the chalcogenide material.
(FR)Certains modes de réalisation de l'invention concernent des dispositifs intégrés, par exemple des cellules de mémoire. Les dispositifs intégrés peuvent comprendre un matériau chalcogénure, un matériau électroconducteur sur le matériau chalcogénure et un puits thermique entre le matériau électroconducteur et le matériau chalcogénure. Le puits thermique peut être composé de manière à comprendre un élément en commun avec le matériau électroconducteur et à comprendre un élément en commun avec le matériau chalcogénure. Certains modes de réalisation concernent un procédé permettant de former une cellule de mémoire. Un matériau chalcogénure peut être formé sur un matériau chauffant. Un matériau électroconducteur peut être formé sur le matériau chalcogénure. Un puits thermique peut être formé entre le matériau électroconducteur et le matériau chalcogénure. Le puits thermique peut être composé de manière à comprendre un élément en commun avec le matériau électroconducteur et à comprendre un élément en commun avec le matériau chalcogénure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)