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1. (WO2013073671) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/073671    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/079799
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 16.11.2012
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (Tous Sauf US).
KURODA, Rihito [JP/JP]; (JP) (US only).
TERAMOTO, Akinobu [JP/JP]; (JP) (US only).
SUGAWA, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : KURODA, Rihito; (JP).
TERAMOTO, Akinobu; (JP).
SUGAWA, Shigetoshi; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-251556 17.11.2011 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Gate insulating films of conventional semiconductor devices have a problem wherein local concentration occurs in electrical fields applied to the gate insulating films, and variance of electrical field intensity is generated due to the fact that semiconductor layer-side interfaces and/or electrode-side interfaces have large recesses and projections, and dielectric breakdown is generated at a low electrical field intensity, and the service lives of the gate insulating films are short. The problem is solved by specifying the size of recesses and projections of both the interfaces of a gate insulating film.
(FR)Les problèmes posés par les films isolants de grille de dispositifs semi-conducteurs classiques consistent en une concentration locale des champs électriques qui sont appliqués aux films isolants de grille ; une variation de l'intensité du champ électrique, due à la présence de grandes parties creuses et de grandes protubérances sur les interfaces côté couche semi-conductrice et/ou les interfaces côté électrode ; une rupture diélectrique produite à une faible intensité de champ électrique ; et une courte durée de vie des films isolants de grille. L'invention permet de résoudre ces problèmes grâce à une spécification de la taille des parties creuses et des protubérances des deux interfaces du film isolant de grille.
(JA) 従来の半導体装置のゲート絶縁膜は、半導体層側界面と電極側界面の中の少なくともいずれか一方の凹凸が大きいために、ゲート絶縁膜に印加される電界に局所的集中が起きたり、その強度にばらつきが発生したりして低い電界強度で絶縁破壊を起し使用寿命が短かった。 この課題は、ゲート絶縁膜の両界面の凹凸の大きさを特定化することで解決される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)