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1. (WO2013073506) CAPTEUR DE PRESSION DE TYPE CAPACITANCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF D'ENTRÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/073506    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/079314
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 12.11.2012
CIB :
G01L 1/14 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : OMRON CORPORATION [JP/JP]; 801, Minamifudodo-cho, Horikawahigashiiru, Shiokoji-dori, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008530 (JP)
Inventeurs : INOUE Katsuyuki; (JP)
Mandataire : NAKANO Masayoshi; Ilias Building 3F, 10-2, Nishiiwamoto-cho, Higashikujo, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6018005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-249181 14.11.2011 JP
Titre (EN) CAPACITANCE TYPE PRESSURE SENSOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND INPUT DEVICE
(FR) CAPTEUR DE PRESSION DE TYPE CAPACITANCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF D'ENTRÉE
(JA) 静電容量型圧力センサとその製造方法及び入力装置
Abrégé : front page image
(EN)A dielectric layer (33) is formed on the upper surface of a fixed electrode (32), and a recess (34) is provided in the surface of the dielectric layer (33). An upper substrate (37) is layered on the surface of the dielectric layer (33) so as to cover the recess (34), and a conductive diaphragm (38) (part of the upper substrate (37)) having a thin film form is disposed over the recess (34). A first contact surface (35) and a second contact surface (36) for making contact with the diaphragm (38) are formed on the surface of the dielectric layer (33) within the recess (34). The first contact surface (35) and the second contact surface (36) are, for example, horizontal surfaces, and the first contact surface (35) and the second contact surface (36) are separated by a step, which is a vertical surface. The second contact surface (36) is in a position higher than the first contact surface (35).
(FR)Selon l'invention, une couche diélectrique (33) est formée sur la surface supérieure d'une électrode fixe (32), et un renfoncement (34) est disposé dans la surface de la couche diélectrique (33). Un substrat supérieur (37) est disposé en couche sur la surface de la couche diélectrique (33) de manière à recouvrir le renfoncement (34), et un diaphragme conducteur (38) (faisant partie du substrat supérieur (37)) ayant une forme de film mince est disposé sur le renfoncement (34). Une première surface de contact (35) et une seconde surface de contact (36) pour faire contact avec le diaphragme (38) sont formées sur la surface de la couche diélectrique (33) à l'intérieur du renfoncement (34). La première surface de contact (35) et la seconde surface de contact (36) sont, par exemple, des surfaces horizontales, et la première surface de contact (35) et la seconde surface de contact (36) sont séparées par un gradin, qui est une surface verticale. La seconde surface de contact (36) est dans une position supérieure à la première surface de contact (36).
(JA) 固定電極32の上面に誘電体層33を形成し、誘電体層33の表面にリセス34を凹設する。リセス34を覆うようにして誘電体層33の表面に上基板37を積層し、リセス34の上方に薄膜状をした導電性ダイアフラム38(上基板37の一部分)を配設する。リセス34内において誘電体層33の表面には、ダイアフラム38を接触させるための第1接触面35と第2接触面36が形成されている。第1接触面35と第2接触面36はたとえば水平面であって、第1接触面35と第2接触面36は垂直面である段差により隔てられている。第2接触面36は第1接触面35よりも高い位置にある。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)