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1. (WO2013073434) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/073434 N° de la demande internationale : PCT/JP2012/078865
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 07.11.2012
CIB :
H01L 51/50 (2006.01) ,H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION[JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008162, JP
Inventeurs : SATO Yusuke; JP
NISHIMURA Suzushi; JP
JEONG, Soon Moon; JP
Mandataire : CENTCREST IP ATTORNEYS; Kimpodo Bldg. 9th Floor, 2-8-21, Kyobashi, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Données relatives à la priorité :
2011-25328418.11.2011JP
2011-27605916.12.2011JP
Titre (EN) ORGANIC EL ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機EL素子
Abrégé : front page image
(EN) Provided is an organic EL element comprising the following: a transparent support substrate; a diffraction grating disposed on the transparent support substrate and comprising an uneven layer on the surface of which a first unevenness is formed; and a transparent electrode, an organic layer provided with at least a light emitting layer, and a metal electrode that are sequentially laminated on the diffraction grating so that the shape of the first unevenness formed on the surface of the diffraction grating is maintained. The organic EL element satisfies the following conditions (A)-(C). Condition (A): In a case where a Fourier transform image is obtained by conducting two-dimensional fast Fourier transform processing on an unevenness analysis image obtained by analyzing the shape of the first unevenness using an atomic force microscope, the Fourier transform image indicates a circular or annular pattern substantially centered at an origin where the wavenumber absolute value is 0μm-1, and the circular or annular pattern is present within a region that falls within a range where the wavenumber absolute value is no more than 10μm-1. Condition (B): The standard deviation of the unevenness depth distribution of both the first unevenness and a second unevenness formed on the top surface of a surface opposing the organic layer of the metal electrode is 15-100nm; and the standard deviation is found on the basis of an unevenness analysis image obtained by analyzing the shape of the unevenness using an atomic force microscope. Condition (C): The rate of variability of the standard deviation of the second-unevenness depth distribution is +15% to -15% with respect to the standard deviation of the first-unevenness depth distribution.
(FR) La présente invention se rapporte à un élément électroluminescent organique qui comprend les éléments suivants : un substrat de support transparent ; un réseau de diffraction disposé sur le substrat de support transparent et comprenant une couche irrégulière sur la surface sur laquelle est formée une première irrégularité ; et une électrode transparente, une couche organique pourvue d'au moins une couche électroluminescente, et une électrode métallique qui sont stratifiées de manière séquentielle sur le réseau de diffraction de telle sorte que la forme de la première irrégularité formée sur la surface du réseau de diffraction soit conservée. L'élément électroluminescent organique satisfait les conditions (A) à (C) suivantes. Condition (A) : Dans le cas où une image de transformée de Fourier est obtenue en effectuant un traitement de transformée de Fourier rapide en deux dimensions sur une image d'analyse irrégularité obtenue par analyse de la forme de la première irrégularité à l'aide d'un microscope à force atomique, l'image de transformée de Fourier indique un motif circulaire ou annulaire qui est sensiblement centré par rapport à une origine où la valeur absolue du nombre d'ondes est égale à 0 μm-1, et le motif circulaire ou annulaire est présent dans une région qui se situe dans une plage où la valeur absolue du nombre d'ondes est inférieure ou égale à 10 μm-1. Condition (B) : L'écart type de la distribution de profondeur d'irrégularité à la fois de la première irrégularité et de la seconde irrégularité formée sur la surface supérieure d'une surface opposée à la couche organique de l'électrode métallique varie entre 15 et 100 nm ; et l'écart type est trouvé sur la base d'une image d'analyse d'irrégularité obtenue par analyse de la forme de la première irrégularité à l'aide d'un microscope à force atomique. Condition (C) : le taux de variabilité de l'écart type de la distribution de profondeur de la seconde irrégularité varie entre +15 % et -15 % par rapport à l'écart type de la distribution de profondeur de la première irrégularité.
(JA)  透明支持基板、 前記透明支持基板上に配置され且つ表面に第一の凹凸が形成されている凹凸層からなる回折格子、並びに 前記回折格子の表面に形成されている第一の凹凸の形状が維持されるようにして、前記回折格子上に順次積層された透明電極、少なくとも発光層を備える有機層、及び、金属電極、 を備える有機EL素子であって、 下記条件(A)~(C): [条件(A)] 前記第一の凹凸の形状を原子間力顕微鏡を用いて解析して得られる凹凸解析画像に2次元高速フーリエ変換処理を施してフーリエ変換像を得た場合において、前記フーリエ変換像が、波数の絶対値が0μm-1である原点を略中心とする円状又は円環状の模様を示しており、且つ、前記円状又は円環状の模様が波数の絶対値が10μm-1以下の範囲内となる領域内に存在すること、 [条件(B)] 前記第一の凹凸と、前記金属電極の有機層に対向する面の表面に形成された第二の凹凸とがいずれも、凹凸の形状を原子間力顕微鏡を用いて解析して得られる凹凸解析画像に基づいて求められる凹凸の深さ分布の標準偏差が15~100nmとなるものであること、 [条件(C)] 前記第一の凹凸の深さ分布の標準偏差に対する前記第二の凹凸の深さ分布の標準偏差の変化率が+15%~-15%であること、 を満たしている、有機EL素子。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)