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1. (WO2013073333) CIRCUIT DE PROTECTION DE TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/073333    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076990
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 18.10.2012
CIB :
H02M 1/08 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-1, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi-shi, Aichi 4418580 (JP)
Inventeurs : FUJIKAWA Kazuhiro; (JP).
SHIGA Nobuo; (JP).
OHIRA Takashi; (JP).
WADA Kazuyuki; (JP).
WUREN Tuya; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-249238 15.11.2011 JP
Titre (EN) TRANSISTOR PROTECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION DE TRANSISTOR
(JA) トランジスタ保護回路
Abrégé : front page image
(EN)In the transistor protection circuit (10) according to an embodiment of the present invention, the high-potential-side voltage or low-potential-side voltage of a power source (40) is applied to a gate terminal by a drive circuit (30), and the transistor protection circuit protects a voltage-driven transistor (20), the switching of which is controlled. The transistor protection circuit (10) is provided with a power source controller (12) for gradually reducing the high-potential-side voltage of the power source (40) when a protection command to implement protection of the transistor (20) is received.
(FR)La présente invention se rapporte, selon un mode de réalisation, à un circuit de protection de transistor (10), la tension du côté haute tension ou la tension du côté basse tension d'une source d'alimentation électrique (40) étant appliquée à une borne de grille par un circuit d'attaque (30) et le circuit de protection de transistor protégeant un transistor à commande de tension (20) dont la commutation est commandée. Le circuit de protection de transistor (10) est pourvu d'un dispositif de commande de source d'alimentation électrique (12) destiné à réduire petit à petit la tension du côté haute tension de la source d'alimentation électrique (40) lors de la réception d'une commande de protection pour mettre en œuvre la protection du transistor (20).
(JA) 本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路10は、駆動回路30によって電源40の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ20の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路10は、トランジスタ20の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源40の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部12を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)