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1. (WO2013073187) DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL À RÉSISTANCE VARIABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/073187    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/007336
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 15.11.2012
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventeurs : MIKAWA, Takumi; .
YONEDA, Shinichi;
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1, Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-252079 17.11.2011 JP
Titre (EN) VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL À RÉSISTANCE VARIABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a variable resistance nonvolatile storage device in which nonvolatile storage element layers are laminated by repeating a plurality of times steps (S100, S200, …) of forming a nonvolatile storage element layer. When, right after the completion of the step of forming each nonvolatile storage element layer, the thickness of a second metal oxide layer included in the nonvolatile storage element layer is defined as the thickness at formation and the contact area of the second metal oxide layer included in the nonvolatile storage element layer and a first metal oxide layer is defined as an area at formation, at least either the thickness at formation or the area at formation is different for each of the steps of forming each nonvolatile storage element layer such that the initial resistance values of all nonvolatile storage elements are the same after the uppermost nonvolatile storage element layer is formed.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de stockage non volatil à résistance variable dans lequel des couches d'élément de stockage non volatil sont stratifiées par répétition, à plusieurs reprises, des étapes (S100, S200, …) consistant à former une couche d'éléments de stockage non volatil. Lorsque, juste après l'achèvement de l'étape de formation de chaque couche d'éléments de stockage non volatil, l'épaisseur d'une seconde couche d'oxyde métallique incluse dans la couche d'éléments de stockage non volatil est définie comme l'épaisseur au niveau de la zone de formation et de contact de la seconde couche d'oxyde métallique incluse dans la couche d'élément de stockage non volatil et qu'une première couche d'oxyde métallique est définie comme une zone au niveau de la formation, au moins soit l'épaisseur au niveau de la formation ou la superficie au niveau de la formation est différente pour chacune des étapes de formation de chaque couche d'élément de stockage non volatil, de telle sorte que les valeurs de résistance initiale de tous les éléments de stockage non volatil sont les mêmes une fois la couche d'éléments de stockage non volatil la plus haute formée.
(JA) 不揮発性記憶素子層を形成する工程(S100、S200・・・)を複数回繰り返すことにより不揮発性記憶素子層が積層された抵抗変化型不揮発性記憶装置を製造する方法であって、それぞれの不揮発性記憶素子層を形成する工程が完了した直後において、当該不揮発性記憶素子層に含まれる第2金属酸化物層の厚さを形成時厚さとし、当該不揮発性記憶素子層に含まれる第2金属酸化物層と第1金属酸化物層との接触面積を形成時面積とするとき、最上層の不揮発性記憶素子層が形成された後に全ての不揮発性記憶素子の初期抵抗が同一になるように、形成時厚さ及び形成時面積のいずれか少なくとも一方が、それぞれの不揮発性記憶素子層を形成する工程毎に異なる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)