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1. (WO2013072831) SYSTÈMES HYBRIDES À IMPULSIONS DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/072831    N° de la demande internationale :    PCT/IB2012/056341
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 12.11.2012
CIB :
C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California CA-94538 (US) (Tous Sauf US).
LAM RESEARCH AG [AT/AT]; SEZ-Strasse 1 A-9500 Villach (AT) (BZ only).
JACOBS KANARIK, Keren [US/US]; (US) (US only).
GUHA, Joydeep [IN/US]; (US) (US only).
LEE, Wonchul [US/US]; (US) (US only).
FU, Quian [US/US]; (US) (US only).
EPPLER, Aaron, Scott [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : JACOBS KANARIK, Keren; (US).
GUHA, Joydeep; (US).
LEE, Wonchul; (US).
FU, Quian; (US).
EPPLER, Aaron, Scott; (US)
Mandataire : KONTRUS, Gerhard; SEZ-Strasse 1 A-9500 Villach (AT)
Données relatives à la priorité :
61/560,001 15.11.2011 US
13/550,546 16.07.2012 US
Titre (EN) HYBRID PULSING PLASMA PROCESSING SYSTEMS
(FR) SYSTÈMES HYBRIDES À IMPULSIONS DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A method for processing substrate in a processing chamber that has at least one plasma generating source and a gas source for providing a process gas into the chamber is provided. The method includes exciting the plasma generating source with an RF signal having an RF frequency. The method also includes pulsing the RF signal using at least one of amplitude, phase, and frequency of the RF signal having a first value during first portion of an RF pulsing period and a second value during second portion of RF pulsing period, which is associated with first source pulsing frequency. The method further includes pulsing the gas source such that the process gas flows into the chamber at a first rate during a first portion of a gas pulsing period and a second rate during a second portion of the gas pulsing period, which is associated with the gas pulsing frequency.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de substrat dans une chambre de traitement qui présente au moins une source générant du plasma et une source de gaz destinée à alimenter un gaz de procédé dans la chambre. Le procédé inclut l'excitation de la source générant le plasma par un signal de RF présentant une fréquence de RF. Le procédé inclut également l'impulsion du signal de RF en utilisant au moins une parmi l'amplitude, la phase et la fréquence du signal de RF présentant une première valeur pendant une première partie d'une période d'impulsion de RF et une deuxième valeur pendant une deuxième partie de la période d'impulsion de RF, qui est associée à la première fréquence d'impulsion de la source. Le procédé inclut en outre l'impulsion de la source de gaz de manière telle que le gaz de procédé s'écoule dans la chambre à une première vitesse pendant une première partie d'une période d'impulsion de gaz et à une deuxième vitesse pendant une deuxième partie de la période d'impulsion de gaz, qui est associée à la fréquence d'impulsion du gaz.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)