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1. (WO2013071925) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE AVEC UNE COUCHE COMBINÉE PECVD ET CELLULE SOLAIRE AVEC UNE COUCHE COMBINÉE PECVD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/071925    N° de la demande internationale :    PCT/DE2012/100347
Date de publication : 23.05.2013 Date de dépôt international : 14.11.2012
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL SOLAR ENERGY RESEARCH CENTER KONSTANZ E.V. [DE/DE]; Rudolf-Diesel-Str. 15 78467 Konstanz (DE)
Inventeurs : PETRES, Roman; (DE)
Mandataire : WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER; Am Riettor 5 78048 Villingen-Schwenningen (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2011 086 351.6 15.11.2011 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE MIT PECVD-KOMBINATIONSSCHICHT UND SOLARZELLE MIT PECVD-KOMBINATIONSSCHICHT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL WITH A PECVD COMBINATION LAYER AND SOLAR CELL WITH A PECVD COMBINATION LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE AVEC UNE COUCHE COMBINÉE PECVD ET CELLULE SOLAIRE AVEC UNE COUCHE COMBINÉE PECVD
Abrégé : front page image
(DE)Zur Passivierung des kristallinen Siliziumsubstrats (101, 201) einer Solarzelle (100, 200) mit Basis (102, 202) und Emitter (103, 203) wird eine Kombinationsschicht (105, 205) mit den folgenden Schritten gebildet : Durchführung einer Plasmanitrierung oder einer Plasmaoxinitrierung in einem Plasma aus NH3, N2O oder einer Mischung dieser Gase zur Erzeugung eines Basisfilms (105a, 205a) aus amorphem SiNx oder amorphem SiOxNy; und unverzügliche Durchführung eines unmittelbar an die Plasmanitrierung oder Plasmaoxinitrierung anschließenden PECVD-Prozesses unter Verwendung mindestens eines siliziumhaltigen Prozessgases zum Abscheiden einer Siliziumdeckschicht (105b, 205b) aus amorphem SiNx, amorphem SiCxNy oder amorphem SiOxNy.
(EN)In order to passivate the crystalline silicon substrate (101, 201) of a solar cell (100, 200) comprising a base (102, 202) and an emitter (103, 203), a combination layer (105, 205) is formed using the following steps: carrying out a plasma nitriding or plasma oxinitriding process in a plasma of NH3, N2O or a mixture of said gases to create a base film (105a, 205a) of amorphous SiNx or amorphous SiOxNy, and immediately carrying out a PECVD process that follows on directly after the plasma nitriding or plasma oxinitriding process and uses at least one silicon-containing process gas to deposit a top silicon layer (105b, 205b) of amorphous SiNx, amorphous SiCxNy or amorphous SiOxNy.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire (100, 200), comprenant les étapes suivantes consistant à : préparer un substrat de silicium cristallin (101, 201); doper au moins une première zone du substrat de silicium (101, 201) afin de produire une base (102, 202) et une deuxième plage du substrat de silicium (101, 201) afin de produire un émetteur (103, 203); former une couche combinée (105, 205) par la mise en œuvre d'une nitruration ou oxynitruration de plasma dans un plasma composé de NH3, N2O ou d'un mélange de ces gaz afin de produire un film de base (105a, 205a) à partir de SiNx amorphe ou de SiOxNy amorphe et mettre en œuvre sur-le-champ une opération de dépôt PECVD suivant immédiatement la nitruration ou l'oxynitruration de plasma en utilisant au moins un gaz de processus contenant du silicium afin de déposer une couche de couverture en silicium (105b, 205b) composée de SiNx amorphe, de SiCxNy amorphe ou de SiOxNy amorphe; et mettre en contact la base (102, 202) et l'émetteur (103, 203). La présente invention concerne également une cellule solaire (100,200) dotée d'un substrat de silicium cristallin (101, 201) pourvu d'une base (102, 202), d'un émetteur (103, 203) et de contacts (106, 107, 206, 207). La cellule solaire (100, 200) comporte en outre une couche combinée (105, 205) avec au moins un film de base (105a, 205a) composé de SiNx amorphe ou de SiOxNy amorphe, déposé au moins par endroits directement sur une surface du substrat de silicium cristallin (101, 201) et pouvant être produit par nitruration ou oxynitruration de plasma dans un plasma composé de NH3, N2O ou d'un mélange de ces gaz et avec une couche de couverture en silicium (105b, 205b) composée de SiNx amorphe, de SiCxNy amorphe ou de SiOxNy amorphe, directement contigüe au film de base (105a, 205a) et pouvant être obtenue suite à un dépôt PECVD en utilisant au moins un gaz de processus contenant du silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)