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1. (WO2013071176) STRUCTURE ET INTÉGRATION DE MTJ À TROIS PORTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/071176    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/064536
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 09.11.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.2013    
CIB :
G11C 11/16 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Inventeurs : LI, Xia; (US).
ZHU, Xiaochun; (US).
KANG, Seung H.; (US).
KIM, Jung Pill; (US).
HSU, Wah Nam; (US).
KIM, Taehyun; (US).
LEE, Kangho; (US)
Mandataire : TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
61/557,862 09.11.2011 US
13/356,720 24.01.2012 US
Titre (EN) THREE PORT MTJ STRUCTURE AND INTEGRATION
(FR) STRUCTURE ET INTÉGRATION DE MTJ À TROIS PORTS
Abrégé : front page image
(EN)A two-transistor one-MTJ (2T1MTJ) three port structure includes two separate pin layer structures coupled to one free layer structure. The pin layer structures may include an anti-ferromagnetic layer (AFM) layer coupled to a pin layer. The free layer structure includes free layer coupled to a barrier layer and a cap layer. The free layer structure may include a thin barrier layer coupled to each of the pin layer stacks. The three port MTJ structure provides separate write and read paths which improve read sensing margin without increasing write voltage or current. The three port MTJ structure may be fabricated with a simple two step MTJ etch process.
(FR)L'invention concerne une structure à trois ports, deux transistors et une MTJ (2T1MTJ), qui comprend deux structures de couche de piégeage séparées, couplées à une structure de couche libre. Les structures de couche de piégeage peuvent comprendre une couche antiferromagnétique (AFM) couplée à une couche de piégeage. La structure de couche libre comprend une couche libre couplée à une couche barrière et une couche de couverture. La structure de couche libre peut comprendre une couche barrière mince, couplée à chacun des empilements de couches de piégeage. La structure MTJ à trois ports fournit des chemins d'écriture et de lecture séparés qui améliorent la marge de détection de lecture sans augmenter la tension ni le courant d'écriture. La structure MTJ à trois ports peut être fabriquée au moyen d'un procédé de gravure MTJ en deux étapes simples.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)