WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE sera indisponible quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 18.08.2018 à 09:00 CEST
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013071060) PROCÉDÉ DE FORMATION DE TRANCHÉES LARGES À L'AIDE D'UN LINGOT DE SILICIUM SACRIFICIEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/071060 N° de la demande internationale : PCT/US2012/064386
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 09.11.2012
CIB :
B61C 1/00 (2006.01)
Déposants : O'BRIEN, Gary[US/US]; US
ROBERT BOSCH GMBH[DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart, DE
Inventeurs : O'BRIEN, Gary; US
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP Chase Tower 111 Monument Circle, Suite 3250 Indianapolis, IN 46204-5109, US
Données relatives à la priorité :
61/557,79809.11.2011US
61/585,80312.01.2012US
Titre (EN) METHOD OF FORMING WIDE TRENCHES USING A SACRIFICIAL SILICON SLAB
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE TRANCHÉES LARGES À L'AIDE D'UN LINGOT DE SILICIUM SACRIFICIEL
Abrégé : front page image
(EN) A method of forming an encapsulated wide trench includes providing a silicon on oxide insulator (SOI) wafer, defining a first side of a first sacrificial silicon slab by etching a first trench in a silicon layer of the SOI wafer, defining a second side of the first sacrificial silicon slab by etching a second trench in the silicon layer, forming a first sacrificial oxide portion in the first trench, forming a second sacrificial oxide portion in the second trench, forming a polysilicon layer above the first sacrificial oxide portion and the second sacrificial oxide portion, and etching the first sacrificial oxide portion and the second sacrificial oxide portion.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une tranchée large encapsulée qui consiste à : se procurer une tranche de silicium isolant d'oxyde (SOI), définir un premier côté d'un premier lingot de silicium sacrificiel par gravure d'une première tranchée dans une couche de silicium de la tranche SOI, définir un second côté du premier lingot de silicium sacrificiel par gravure d'une seconde tranchée dans la couche de silicium, former une première partie d'oxyde sacrificiel dans la première tranchée, former une seconde partie d'oxyde sacrificiel dans la seconde tranchée, former une couche de polysilicium au-dessus de la première partie d'oxyde sacrificiel et de la seconde partie d'oxyde sacrificiel, et graver la première partie d'oxyde sacrificiel et la seconde partie d'oxyde sacrificiel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)