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1. (WO2013070806) FORMATIONS DE MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES COMMUTABLES EN TENSION ET ÉLÉMENTS AUXILIAIRES D'IMPÉDANCE DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES (ESD)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/070806    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/063999
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 07.11.2012
CIB :
H01L 27/04 (2006.01), H01L 23/60 (2006.01)
Déposants : SHOCKING TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5870 Hellyer Avenue San Jose, CA 95138 (US)
Inventeurs : VRTIS, Joan; (US).
VASQUEZ, Daniel; (US).
FLEMING, Robert; (US).
KOSOWSKY, Lex; (US)
Mandataire : MAHAMEDI, Zurvan; Mahamedi Paradice Kreisman LLP 550 South Winchester Blvd., Suite 605 San Jose, CA 95128 (US)
Données relatives à la priorité :
13/670,413 06.11.2012 US
61/556,788 07.11.2011 US
Titre (EN) VOLTAGE SWITCHABLE DIELECTRIC MATERIAL FORMATIONS AND SUPPORTING IMPEDANCE ELEMENTS FOR ESD PROTECTION
(FR) FORMATIONS DE MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES COMMUTABLES EN TENSION ET ÉLÉMENTS AUXILIAIRES D'IMPÉDANCE DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES (ESD)
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments disclosed herein generally relate to voltage switchable dielectric (VSD) materials and supporting impedance elements, and to structures, methods and devices employing voltage switchable dielectric materials and supporting impedance elements to achieve protection against ESD events, wherein the VSD materials and/or supporting impedance elements are incorporated in first level and/or second level packages, and wherein the first level package may be a die attached to a substrate and the second level package may be a circuit board to which the first level package is attached.
(FR)Les modes de réalisation de la présente invention concernent des matériaux diélectriques commutables en tension (VSD) et des éléments auxiliaires d'impédance ainsi que des structures, procédés et dispositifs employant des matériaux diélectriques commutables en tension et des éléments auxiliaires d'impédance servant à réaliser la protection contre les événements ESD, les matériaux VSD et/ou éléments auxiliaires d'impédance étant incorporés dans des boîtiers de premier et/ou de deuxième niveaux, le boîtier de premier niveau pouvant être une puce fixée à un substrat et le boîtier de deuxième niveau pouvant être une carte à circuit à laquelle le boîtier de premier niveau est fixé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)