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1. (WO2013070424) PROCÉDÉ D'ESSAI DE CONSERVATION DE DONNÉES D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE AYANT UNE GRILLE FLOTTANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/070424    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/061386
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 22.10.2012
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US).
MARKOV, Viktor [US/US]; (US) (US only).
YOO, Jong-won [KR/US]; (US) (US only).
BANSAL, Satish [US/US]; (US) (US only).
KOTOV, Alexander [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : MARKOV, Viktor; (US).
YOO, Jong-won; (US).
BANSAL, Satish; (US).
KOTOV, Alexander; (US)
Mandataire : LIMBACH, Alan, A.; DLA Piper LLP US 2000 University Avenue East Palo Alto, CA 94303 (US)
Données relatives à la priorité :
13/293,056 09.11.2011 US
Titre (EN) A METHOD OF TESTING DATA RETENTION OF A NON-VOLATILE MEMORY CELL HAVING A FLOATING GATE
(FR) PROCÉDÉ D'ESSAI DE CONSERVATION DE DONNÉES D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE AYANT UNE GRILLE FLOTTANTE
Abrégé : front page image
(EN)A method of decreasing the test time to determine data retention of a memory cell having a floating gate for the storage of charges thereon to determine if the memory cell has a leakage current from the floating gate. The memory cell is characterized by the leakage current having a rate of leakage which is dependent upon the absolute value of the voltage of the floating gate. The memory cell is further characterized by a first erase voltage and a first programming voltage applied during normal operation, and a first read current detected during normal operation. The method applies a voltage greater than the first erase voltage to over erase the floating gate. The memory cell including the floating gate is subject to a single high temperature bake. The memory cell is then tested for data retention of the floating gate based on the single high temperature bake.
(FR)L'invention concerne un procédé qui permet de réduire le temps d'essai afin de déterminer une conservation de données d'une cellule de mémoire ayant une grille flottante pour le stockage de charges sur celle-ci afin de déterminer si la cellule de mémoire présente un courant de fuite à partir de la grille flottante. La cellule de mémoire est caractérisée en ce que le courant de fuite possède une vitesse de fuite qui dépend de la valeur absolue de la tension de la grille flottante. La cellule de mémoire est en outre caractérisée par une première tension d'effacement et une première tension de programmation appliquées pendant un fonctionnement normal, et un premier courant de lecture détecté pendant un fonctionnement normal. Le procédé consiste à appliquer une tension supérieure à la première tension d'effacement afin d'effacer encore la grille flottante. La cellule de mémoire comprenant la grille flottante est soumise à une cuisson à haute température unique. La cellule de mémoire est ensuite essayée quant à la conservation des données de la grille flottante sur la base de la cuisson à haute température unique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)