WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2013070294) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS INTÉGRÉS À FAISCEAU MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET STRUCTURE DE CONCEPTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/070294 N° de la demande internationale : PCT/US2012/050743
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 14.08.2012
CIB :
H03H 9/54 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
54
comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
Déposants : HARAME, David, L.[US/US]; US (UsOnly)
STAMPER, Anthony, K.[US/US]; US (UsOnly)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
Inventeurs : HARAME, David, L.; US
STAMPER, Anthony, K.; US
Mandataire : CANALE, Anthony, J.; International Business Machines Corporation Intellectual Property Law 972E 1000 River Street Essex Junction, Vermont 05452, US
Données relatives à la priorité :
13/294,60311.11.2011US
Titre (EN) INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SINGLE CRYSTALLINE BEAM, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURE
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS INTÉGRÉS À FAISCEAU MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET STRUCTURE DE CONCEPTION
Abrégé :
(EN) Bulk acoustic wave filters and/or bulk acoustic resonators integrated with CMOS devices, methods of manufacture and design structure are provided. The method includes forming a single crystalline beam (18) from a silicon layer (14) on an insulator (12). The method further includes providing a coating of insulator material (22) over the single crystalline beam. The method further includes forming a via (34a) through the insulator material exposing a wafer (10) underlying the insulator. The insulator material remains over the single crystalline beam. The method further includes providing a sacrificial material (36) in the via and over the insulator material. The method further includes providing a lid (38) on the sacrificial material. The method further includes venting, through the lid, the sacrificial material and a portion of the wafer under the single crystalline beam to form an upper cavity (42a) above the single crystalline beam and a lower cavity (42b) in the wafer, below the single crystalline beam.
(FR) L'invention concerne des filtres à onde acoustique de volume et/ou des résonateurs acoustiques de volume intégrés à des dispositifs CMOS, des procédés de fabrication et une structure de conception. Le procédé consiste à former un faisceau monocristallin (18) à partir d'une couche de silicium (14) sur un isolant (12). Le procédé consiste en outre à mettre en place un revêtement de matériau isolant (22) sur le faisceau monocristallin. Le procédé consiste également à former un trou d'interconnexion (34a) dans le matériau isolant exposant une plaquette (10) sous-jacente à l'isolant. Le matériau isolant reste sur le faisceau monocristallin. Le procédé consiste aussi à mettre en place un matériau sacrificiel (36) dans le trou d'interconnexion et sur le matériau isolant. Le procédé consiste en outre à placer un couvercle (38) sur le matériau sacrificiel. Le procédé consiste également à évacuer, par le couvercle, le matériau sacrificiel et une partie de la plaquette sous le faisceau monocristallin afin de former une cavité supérieure (42a) au-dessus du faisceau monocristallin et une cavité inférieure (42b) dans la plaquette, sous le faisceau monocristallin.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)