WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013069408) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/069408    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076552
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 12.10.2012
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : YAMAJI, Masaharu; (JP)
Mandataire : SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-248015 11.11.2011 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)An n- type region (101) surrounds an n well region (201) where a high-side drive circuit (300) is disposed. On the n- type region (101), a high-resistance polysilicon thin film (401) that constitutes a resistive field plate structure in a high-voltage junction termination region is spirally disposed. Furthermore, on the n- type region (101), an OUT electrode (120), a grounding electrode (121), and a Vcc1 electrode (122) are disposed. The Vcc1 electrode (122) is connected to the positive electrode of an auxiliary direct-current power supply (boot strap capacitor) (E1). The OUT electrode (120) is connected to the negative electrode of the auxiliary direct-current power supply (E1). One end portion (second contact section) (403) of the high-resistance polysilicon thin film (401) is connected to the grounding electrode (121). Furthermore, the other end portion (first contact section) (402) of the high-resistance polysilicon thin film (401) is connected to the OUT electrode (120).
(FR)Selon la présente invention, une région de n- (101) entoure une région de puits n (201) où un circuit de commande côté supérieur (300) est disposé. Sur la région de type n- (101), un film mince de silicium polycristallin haute résistance (401) qui constitue une structure de plaque de champ résistif dans une région de terminaison de jonction haute tension est disposé en spirale. De plus, sur la région de type n- (101) sont disposées une électrode SORTIE (120), une électrode de mise à la terre (121) et une électrode Vcc1 (122). L'électrode Vcc1 (122) est reliée à l'électrode positive d'une alimentation électrique auxiliaire en courant continu (condensateur d'amorçage) (E1). L'électrode SORTIE (120) est reliée à l'électrode négative de l'alimentation électrique auxiliaire en courant continu (E1). Une partie d'extrémité (seconde section de contact) (403) du film mince de silicium polycristallin haute résistance (401) est reliée à l'électrode de mise à la terre (121). De plus, l'autre partie d'extrémité (première section de contact) (402) du film mince de silicium polycristallin haute résistance (401) est reliée à l'électrode SORTIE (120).
(JA) n-型領域(101)は、ハイサイド駆動回路(300)が配置されたnウエル領域(201)を囲む。n-型領域(101)上には、高耐圧接合終端領域の抵抗性フィールドプレート構造を構成する高抵抗ポリシリコン薄膜(401)が渦巻き状に配置されている。また、n-型領域(101)上には、OUT電極(120)、グランド電極(121)およびVcc1電極(122)が配置されている。Vcc1電極(122)は、補助直流電源(ブートストラップコンデンサ)(E1)の正極に接続されている。OUT電極(120)は、補助直流電源(E1)の負極に接続されている。高抵抗ポリシリコン薄膜(401)の一方の端部(第2コンタクト部)(403)は、グランド電極(121)に接続されている。また、高抵抗ポリシリコン薄膜(401)の他方の端部(第1コンタクト部)(402)は、OUT電極(120)に接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)