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1. (WO2013068878) CONTACT DE TYPE P AMÉLIORÉ AVEC INJECTION PLUS UNIFORME ET PERTES OPTIQUES RÉDUITES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/068878    N° de la demande internationale :    PCT/IB2012/055970
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 29.10.2012
CIB :
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : EPLER, John Edward; (NL)
Mandataire : VAN EEUWIJK, Alexander Henricus Walterus; High Tech Campus, Building 44 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
61/556,343 07.11.2011 US
Titre (EN) IMPROVED P-CONTACT WITH MORE UNIFORM INJECTION AND LOWER OPTICAL LOSS
(FR) CONTACT DE TYPE P AMÉLIORÉ AVEC INJECTION PLUS UNIFORME ET PERTES OPTIQUES RÉDUITES
Abrégé : front page image
(EN)The current distribution across the p-layer (130) of a semiconductor device is modified by purposely inhibiting current flow through the p- layer (130) in regions (310) adjacent to the guardsheet (150), without reducing the optical reflectivity of any part of the device. This current flow may be inhibited by increasing the resistance of the p-layer that is coupled to the p-contact (140) along the edges and in the comers of contact area. In an example embodiment, the high-resistance region (130) is produced by a shallow dose of hydrogen-ion (H+) implant after the p-contact (140) is created. Similarly, a resistive coating may be applied in select regions between the p-contact and the p-layer.
(FR)Cette invention concerne la modification de la distribution de courant à travers la couche de type p (130) d'un dispositif à semi-conducteur par inhibition volontaire de la circulation du courant à travers la couche de type p (130) dans des zones (310) adjacentes à la couche de protection (150), sans réduire la réflectivité optique de quelque partie que ce soit du dispositif. La circulation du courant peut être inhibée par accroissement de la résistance de la couche de type p qui est couplée au contact de type p (140) le long des bords et aux angles de la zone de contact. Selon un mode de réalisation exemplaire, la région de haute résistance (130) est produite par implantation d'une petite dose d'ions hydrogène (H+) après la création du contact de type p (140). Similairement, il est possible d'appliquer un revêtement résistif dans des zones sélectionnées entre le contact de type p et la couche de type p.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)