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1. (WO2013068085) TRAITEMENT AU PLASMA DE SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/068085    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/004579
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 02.11.2012
CIB :
H05H 1/00 (2006.01), H05H 1/42 (2006.01), H05H 1/48 (2006.01)
Déposants : DOW CORNING FRANCE [FR/FR]; 107, Boulevard de la Bataille de Stalingrad, 5ème étage F-69628 Villeurbanne (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, Rue Michel-Ange F-75016 Paris (FR)
Inventeurs : MASSINES, Francoise; (FR).
GAUDY, Thomas; (FR).
DESCAMPS, Pierre; (BE).
LEEMPOEL, Patrick; (BE).
KAISER, Vincent; (BE).
ASAD, Syed Salman; (BE)
Mandataire : DAVIES, Peter, V.; Hazelhurst, Highfield Road Monmouth NP25 3HR (GB)
Données relatives à la priorité :
11306460.4 09.11.2011 EP
Titre (EN) PLASMA TREATMENT OF SUBSTRATES
(FR) TRAITEMENT AU PLASMA DE SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for plasma treating a substrate comprises a high voltage source of frequency 3kHz to 30kHz connected to at least one needle electrode (11) positioned within a channel (16) inside a dielectric housing (14) having an inlet for process gas and an outlet. The channel (16) has an entry (16a) which forms the said inlet for process gas and an exit (16e) into the dielectric housing arranged so that process gas flows from the inlet through the channel (16) past the electrode (11) to the outlet of the dielectric housing. The apparatus includes means for introducing an atomised surface treatment agent in the dielectric housing, and support means (27, 28) for the substrate (25) adjacent to the outlet of the dielectric housing. The needle electrode (11) extends from the channel entry (16a) to a tip (11t) close to the exit (16e) of the channel and projects outwardly from the channel (16) so that the tip (11t) of the needle electrode is positioned in the dielectric housing close to the exit (16e) of the channel at a distance outside the channel of at least 0.5mm up to 5 times the hydraulic diameter of the channel. The channel (16) has a ratio of length to hydraulic diameter greater than 10:1.
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement au plasma d'un substrat, qui comprend une source de fréquence haute tension de 3 à 30 kHz connectée à au moins une électrode aiguille (11) positionnée à l'intérieur d'un canal (16), dans un boîtier diélectrique (14) comportant une entrée pour le gaz de procédé et une sortie. Le canal (16) présente un orifice d'entrée (16a) formant ladite entrée pour le gaz de procédé et un orifice d'évacuation (16e) débouchant dans le boîtier diélectrique agencé de telle sorte que le gaz de procédé s'introduise par l'entrée, s'écoule dans le canal (16) au-delà de l'électrode (11) vers la sortie du boîtier diélectrique. L'appareil comprend des moyens d'introduction d'un agent de traitement de surface atomisé dans le boîtier diélectrique, et des moyens de support (27, 28) pour le substrat (25) adjacents à la sortie du boîtier diélectrique. L'électrode aiguille (11) s'étend de l'orifice d'entrée (16a) du canal à une pointe (11t) située à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, et s'étend vers l'extérieur à partir du canal (16) de sorte que la pointe (11t) de l'électrode aiguille soit positionnée dans le boîtier diélectrique à proximité de l'orifice d'évacuation (16e) du canal, à une distance extérieure au canal d'au moins 0,5 mm jusqu'à 5 fois le diamètre hydraulique du canal. Le canal (16) présente un rapport de la longueur au diamètre hydraulique supérieur à 10:1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)