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1. (WO2013067572) STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/067572    N° de la demande internationale :    PCT/AU2012/001347
Date de publication : 16.05.2013 Date de dépôt international : 02.11.2012
CIB :
H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : THE SILANNA GROUP PTY LTD [AU/AU]; 37 Brandl Street, Eight Mile Plains Queensland 4113 (AU) (Tous Sauf US).
BRAWLEY, Andrew, John [AU/AU]; (AU) (US only)
Inventeurs : BRAWLEY, Andrew, John; (AU)
Mandataire : DAVIES COLLISON CAVE; 1 Nicholson Street Melbourne, Victoria 3000 (AU)
Données relatives à la priorité :
61/556,772 07.11.2011 US
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR STRUCTURE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor-on-insulator structure, including a semiconductor thin film having electronic devices formed therein, the semiconductor thin film being disposed on a first face of an electrically insulating thin film; wherein to reduce parasitic capacitance, there is no bulk substrate attached to a second face of the electrically insulating thin film opposite to the first face, and to provide a path for heat flow from the devices, the thermal conductivity of the electrically insulating thin film is substantially greater than 1.4 W•m-1•K-1.
(FR)Cette invention concerne une structure de semi-conducteur sur isolant, comprenant une couche mince de semi-conducteur dans laquelle sont formés des dispositifs électroniques. Ladite couche mince de semi-conducteur sur isolant est disposée sur une première face d'une couche mince d'isolation électrique. Afin de réduire la capacité parasite, ladite structure ne présente pas de substrat massif fixé à une seconde face de la couche mince d'isolation électrique opposée à la première face. Par ailleurs, pour assurer un passage de flux thermique à partir des dispositifs, la conductivité thermique de la couche mince d'isolation électrique est supérieure à 1,4 W•m-1•K-1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)