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N° de publication : WO/2013/067148 N° de la demande internationale : PCT/US2012/063010
Date de publication : 10.05.2013 Date de dépôt international : 01.11.2012
CIB :
H01L 35/32 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01) ,H01L 31/058 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
28
fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck
32
caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
058
comprenant des moyens pour utiliser l'énergie thermique, p.ex. systèmes hybrides, ou une source additionnelle d'énergie électrique
Déposants : CARDINAL SOLAR TECHNOLOGIES COMPANY[US/US]; 775 Prairie Center Drive, Suite 200 Eden Prairie, MN 55344, US
Inventeurs : HARTIG, Klaus; US
Mandataire : SNUSTAD, Eric, J.; Fredrikson & Byron, P.A. 200 South Sixth Street, Suite 4000 Minneapolis, MN 55402-1425, US
Données relatives à la priorité :
61/554,65402.11.2011US
Titre (EN) THERMOELECTRIC DEVICE TECHNOLOGY
(FR) TECHNOLOGIE DE DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
Abrégé :
(EN) A thermoelectric device for use with solar cells or other heat sources. A substrate has a manufactured surface with a plurality of highland features and lowland features. Each highland feature defines a peak adjacent to which there is an interface of two different film regions (formed of two different metals, two different semiconductors, or one metal and one semiconductor). The two film regions diverge away from each other with increasing distance from the interface and terminate at distal end regions. In response to a temperature difference between the interface and the distal end regions, the device produces a voltage.
(FR) La présente invention concerne un dispositif thermoélectrique destiné à être utilisé avec des cellules solaires ou d'autres sources de chaleur. Un substrat présente une surface fabriquée avec une pluralité de plots de contact élevés et de plots de contact bas. Chaque plot de contact élevé définit un sommet adjacent auquel est prévue une interface de deux régions de films différents (formées de deux métaux différents, deux semi-conducteurs différents, ou d'un métal et d'un semi-conducteur). Les deux régions de films s'éloignent l'une de l'autre avec une distance croissante depuis l'interface et se terminent à des régions d'extrémité distale. En réponse à une différence de température entre l'interface et les régions d'extrémité distale, le dispositif produit une tension.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)