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1. (WO2013066820) PROCÉDÉ ET SYSTÈME PERMETTANT DE COMMANDER UN PROCÉDÉ DE RECUIT DE POINTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/066820    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/062434
Date de publication : 10.05.2013 Date de dépôt international : 29.10.2012
CIB :
H01L 21/425 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo, 107-6325 (JP)
Inventeurs : SCHEER, Steven, A.; (US).
CARCASI, Michael; (US)
Mandataire : MADRIAGA, Manuel; 2545 W. Frye Road, Suite 1 Chandler, AZ 85224 (US)
Données relatives à la priorité :
61/556,126 04.11.2011 US
61/652,127 25.05.2012 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING A SPIKE ANNEAL PROCESS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME PERMETTANT DE COMMANDER UN PROCÉDÉ DE RECUIT DE POINTE
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method and system for controlling a spike anneal process on a substrate, comprising selecting one or more objectives, one or more absorbance layers, a technique of modifying absorption of the selected one or more absorbance layers, one or more wavelengths used in a heating device. A substrate modified with the selected technique of modifying absorption is provided. The spike anneal process is performed on the substrate using the selected heating device and selected spike anneal process variables. One or more of the spike anneal process variables, the selected technique of the modifying absorption, the selected one or more wavelengths, and/or the selected heating device are adjusted in order to meet the one or more objectives of the spike anneal process.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé et à un système permettant de commander un procédé de recuit de pointe sur un substrat et consistant à sélectionner un ou plusieurs objectifs, une ou plusieurs couches à absorbance, une technique permettant de modifier l'absorption d'une ou plusieurs couches à absorbance sélectionnées, une ou plusieurs longueurs d'onde utilisées dans un dispositif de chauffage. On utilise un substrat modifié avec la technique sélectionnée permettant de modifier l'absorption. Le procédé de recuit de pointe est effectué sur le substrat à l'aide du dispositif de chauffage sélectionné et des variables sélectionnées du procédé de recuit de pointe. Une ou plusieurs variables du procédé de recuit de pointe, la technique sélectionnée de modification de l'absorption, une ou plusieurs longueurs d'onde sélectionnées et/ou le dispositif de chauffage sélectionné sont réglés afin de satisfaire le ou les objectifs du procédé de recuit de pointe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)