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1. (WO2013066592) CIRCUIT INTÉGRÉ À MÉMOIRE PERMANENTE ET TENSION MIXTE ÉCONOME EN ÉNERGIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/066592    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/059808
Date de publication : 10.05.2013 Date de dépôt international : 11.10.2012
CIB :
G11C 7/00 (2006.01), G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
TRAN, Hieu, Van [US/US]; (US) (US only).
LY, Anh [US/US]; (US) (US only).
VU, Thuan [US/US]; (US) (US only).
NGUYEN, Hung, Quoc [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : TRAN, Hieu, Van; (US).
LY, Anh; (US).
VU, Thuan; (US).
NGUYEN, Hung, Quoc; (US)
Mandataire : LIMBACH, Alan, A.; DLA Piper LLP US 2000 University Avenue East Palo Alto, CA 94303 (US)
Données relatives à la priorité :
13/286,969 01.11.2011 US
Titre (EN) A MIXED VOLTAGE NON-VOLATILE MEMORY INTEGRATED CIRCUIT WITH POWER SAVING
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ À MÉMOIRE PERMANENTE ET TENSION MIXTE ÉCONOME EN ÉNERGIE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit die has a first die pad for receiving a first voltage and a second die pad for receiving a second voltage. The second voltage is less than the first voltage. A first circuit which is operable at the first voltage is in the integrated circuit die. A second circuit which is operable at the second voltage is in the integrated circuit die and is connected to the second die pad. A circuit that detects current flow from the second die pad is in the integrated circuit die. A switch is interposed between the first die pad and the first circuit to disconnect the first die pad from the first circuit in response to current flow detected by the circuit for detecting current flow.
(FR)Selon l'invention, un dé de circuit intégré comporte un premier plot de dé destiné à recevoir une première tension et un second plot de dé destiné à recevoir une seconde tension. La seconde tension est inférieure à la première tension. Un premier circuit pouvant fonctionner à la première tension se trouve dans le dé de circuit intégré. Un second circuit pouvant fonctionner à la seconde tension se trouve dans le dé de circuit intégré et est connecté au second plot de dé. Un circuit qui détecte un flux de courant à partir du second plot de dé se trouve dans le dé de circuit intégré. Un interrupteur est interposé entre le premier plot de dé et le premier circuit pour les déconnecter l'un de l'autre en réaction au flux de courant détecté par le circuit de détection de flux de courant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)