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1. (WO2013066338) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PROTECTION CONTRE LA SURCHARGE ÉLECTRIQUE (EOS) À BASE D'INJECTION ET DE DRAINAGE DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/066338    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/059229
Date de publication : 10.05.2013 Date de dépôt international : 03.11.2011
CIB :
G05F 1/20 (2006.01), G06F 19/00 (2011.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
SHINDE, Suhas Vishwasrao [IN/MY]; (MY) (US Seulement)
Inventeurs : SHINDE, Suhas Vishwasrao; (MY)
Mandataire : DE GUZMAN, Dennis, M.; Schwabe, Williamson & Wyatt, P.C. 1211 SW 5th Avenue, Suite 1500-2000 Portland, Oregon 97204 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CHARGE INJECTION AND DRAIN-BASED ELECTRICAL OVERSTRESS (EOS) PROTECTION APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PROTECTION CONTRE LA SURCHARGE ÉLECTRIQUE (EOS) À BASE D'INJECTION ET DE DRAINAGE DE CHARGE
Abrégé : front page image
(EN)An electrical overstress (EOS) protection circuit that at least partially neutralizes or compensates for undershoot and overshoot in first and second signals that are communicated using differential signaling, such as with USB communications. For an undershoot, the EOS protection circuit injects charge into pads that receive the first and second signals. For an overshoot, the EOS protection circuit drains charge from the pad that receives the second signal and injects charge into the pad that receives the first signal.
(FR)La présente invention concerne un circuit de protection contre la surcharge électrique (EOS) qui neutralise ou compense au moins partiellement un sous-dépassement et un surdépassement dans des premier et second signaux qui sont communiqués à l'aide d'une signalisation différentielle, notamment avec des communications USB. Pour un sous-dépassement, le circuit de protection EOS injecte une charge dans des plots qui reçoivent les premier et second signaux. Pour un surdépassement, le circuit de protection EOS draine la charge depuis le plot qui reçoit le second signal et injecte une charge dans le plot qui reçoit le premier signal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)