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1. (WO2013065582) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE FILM MINCE MONOCRISTALLIN ORGANIQUE, FILM MINCE MONOCRISTALLIN ORGANIQUE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET GROUPE DE FILMS MINCES MONOCRISTALLINS ORGANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/065582    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/077633
Date de publication : 10.05.2013 Date de dépôt international : 25.10.2012
CIB :
H01L 21/368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : GOTO Osamu; (JP).
HOBARA Daisuke; (JP).
MURAKAMI Yosuke; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO Takahisa; Room 301, Akiba Building, 3-2, Ohsaki 4-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-242460 04.11.2011 JP
2012-008666 19.01.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR GROWING ORGANIC SINGLE CRYSTAL THIN FILM, ORGANIC SINGLE CRYSTAL THIN FILM, ELECTRONIC DEVICE AND GROUP OF ORGANIC SINGLE CRYSTAL THIN FILMS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE FILM MINCE MONOCRISTALLIN ORGANIQUE, FILM MINCE MONOCRISTALLIN ORGANIQUE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET GROUPE DE FILMS MINCES MONOCRISTALLINS ORGANIQUES
(JA) 有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子、有機単結晶薄膜の成長方法、有機単結晶薄膜、電子機器および有機単結晶薄膜群
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for growing an organic single crystal thin film such as an organic semiconductor single crystal thin film, said method allowing the control of the position, size, crystal orientation, etc. of the organic single crystal thin film. An organic semiconductor single crystal thin film comprising an organic compound is grown by: supplying an unsaturated organic solution that has been prepared by dissolving the organic compound in a solvent to a growth control area (P1) and a nucleation control area (P2) of a substrate (11), said substrate having, in a principal plane thereof, the growth control area and at least one nucleation control area that is formed on one side of the growth control area and connected to the growth control area; and then evaporating the solvent of the organic solution.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de croissance de film mince monocristallin organique tel qu'un film mince monocristallin semi-conducteur organique, ledit procédé permettant le contrôle de la position, de la dimension, de l'orientation cristalline, etc. du film mince monocristallin organique. Un film mince monocristallin semi-conducteur organique comprenant un composé organique a subi une croissance par : alimentation d'une solution organique non saturée qui a été préparée par dissolution du composé organique dans un solvant à une zone de contrôle de croissance (P1) et une zone de contrôle de nucléation (P2) d'un substrat (11), ledit substrat ayant, dans un plan principal de celui-ci, la zone de contrôle de croissance et au moins une zone de contrôle de nucléation qui est formée sur un côté de la zone de contrôle de croissance et reliée à la zone de contrôle de croissance; et puis évaporation du solvant de la solution organique.
(JA) 有機半導体単結晶薄膜などの有機単結晶薄膜の位置、大きさ、結晶方位などを制御することができる有機単結晶薄膜の成長方法を提供する。 成長制御領域(P1)およびこの成長制御領域の一辺にこの成長制御領域と連結されて設けられた少なくとも一つの核形成制御領域(P2)を一主面に有する基板11の成長制御領域および核形成制御領域に、有機化合物を溶媒に溶解させた不飽和の有機溶液を供給する。この有機溶液の溶媒を蒸発させることにより、有機化合物からなる有機半導体単結晶薄膜を成長させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)