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1. (WO2013065479) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'IONS ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/065479 N° de la demande internationale : PCT/JP2012/076755
Date de publication : 10.05.2013 Date de dépôt international : 17.10.2012
CIB :
H01T 23/00 (2006.01) ,H01T 19/04 (2006.01)
Déposants : DATE Kazuharu; null (US)
SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 22-22, Nagaike-Cho, Abeno-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : DATE Kazuharu; null
Mandataire : SANO Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032, JP
Données relatives à la priorité :
2011-24158302.11.2011JP
Titre (EN) ION GENERATION DEVICE AND ELECTRICAL EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'IONS ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRIQUE
(JA) イオン発生装置及び電気機器
Abrégé : front page image
(EN) The ion generation device is equipped with a high voltage generating circuit, and an ion generating element presented with high voltage output by the high voltage generating circuit, or with voltage generated on the basis of high voltage output by the high voltage generating circuit. The high voltage generating circuit has a capacitor; a high voltage transformer for boosting the voltage output by the capacitor connected to the primary side and outputting high voltage to the secondary side; a switching element connected to the primary side of the high voltage transformer, for interrupting the primary-side current of the high voltage transformer through ON/OFF operation; and a pulse signal generating portion for generating a pulse signal for controlling ON/OFF operation of the switching element. The pulse signal generating portion adjusts the pulse width of the ON interval of the pulse signal, so that the pulse width of the ON interval is approximately coincident with a time period equivalent to the inverse of the output voltage frequency of the high voltage transformer during forward operation, multiplied by ¼.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de génération d'ions équipé d'un circuit de génération de tension élevée, et un élément de génération d'ions présentant une sortie de tension élevée par le circuit de génération de tension élevée, ou avec une tension générée sur la base d'une sortie de tension élevée par le circuit de génération de tension élevée. Le circuit de génération de tension élevée a un condensateur ; un transformateur de tension élevée pour élever la sortie de tension par le condensateur relié au côté primaire et délivrant en sortie une tension élevée au côté secondaire ; un élément de commutation relié au côté primaire du transformateur de tension élevée, pour interrompre le courant côté primaire du transformateur de tension élevée à travers une opération MARCHE/ARRET ; et une partie de génération de signal d'impulsion pour générer un signal d'impulsion pour commander une opération MARCHE/ARRET de l'élément de commutation. La partie de génération de signal d'impulsion ajuste la largeur d'impulsion de l'intervalle MARCHE du signal d'impulsion, de telle sorte que la largeur d'impulsion de l'intervalle MARCHE est approximativement coïncidente avec une période temporelle équivalente à l'inverse de la fréquence de tension de sortie du transformateur de tension élevée durant l'opération suivante, multipliée par 1/4.
(JA)  イオン発生装置は、高電圧発生回路と、前記高電圧発生回路から出力される高電圧または前記高電圧発生回路から出力される高電圧を基に生成される電圧が与えられるイオン発生素子とを備える。前記高電圧発生回路が、コンデンサと、1次側に接続される前記コンデンサから出力される電圧を昇圧して2次側に高電圧を出力する高圧トランスと、前記高圧トランスの1次側に接続され、ON/OFFにより前記高圧トランスの1次側電流を断続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子のON/OFFを制御するためのパルス信号を発生するパルス信号発生部とを有する。前記パルス信号発生部が、前記パルス信号のON期間のパルス幅と、前記高圧トランスのフォワード動作時における出力電圧周波数の逆数に1/4を乗じた時間とが略一致するように、前記ON期間のパルス幅を調整する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)