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1. (WO2013065441) THERMISTOR CTP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/065441    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/075644
Date de publication : 10.05.2013 Date de dépôt international : 03.10.2012
CIB :
C04B 35/468 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO.,LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : MATSUNAGA, Tatsuya; (JP)
Mandataire : NISHIZAWA, Hitoshi; 5th Floor, Daido Seimei Minami-kan, 1-2-11, Edobori, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5500002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-240315 01.11.2011 JP
Titre (EN) PTC THERMISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING PTC THERMISTOR
(FR) THERMISTOR CTP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) PTCサーミスタおよびPTCサーミスタの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a PTC thermistor which uses a barium titanate semiconductor ceramic that has low Curie point and can be operated at low temperatures near room temperature, said barium titanate semiconductor ceramic also having low room-temperature resistivity and high resistance-temperature characteristics. As a semiconductor ceramic that constitutes a PTC thermistor, a semiconductor ceramic which contains Mn, an agent for making materials semiconductive and a perovskite compound containing Ba, Ti, Sr and Ca is used. When the total parts by mole of Ba, Sr and Ca and the agent for making materials semiconductive contained in the semiconductor ceramic is taken as 100, the parts by mole (a) of Sr contained therein and the parts by mole (b) of Ca contained therein satisfy the following relations: when 20.0 ≤ a ≤ 22.5, 12.5 ≤ b ≤ 17.5; and when 22.5 ≤ a ≤ 25.0, 12.5 ≤ b ≤ 15.0. When the total parts by mole of Ti and Mn contained in the semiconductor ceramic is taken as 100, the parts by mole (c) of Mn contained therein satisfies 0.030 ≤ c ≤ 0.045.
(FR)Cette invention concerne un thermistor CTP qui utilise une céramique semi-conductrice de type titanate de baryum ayant un bas point de Curie et pouvant fonctionner à basses températures au voisinage de la température ambiante, ladite céramique semi-conductrice de type titanate de baryum ayant également une basse résistivité à température ambiante et des caractéristiques de résistance-température élevées. A titre de céramique semi-conductrice qui constitue un thermistor CTP, on utilise une céramique semi-conductrice qui contient du Mn, un agent qui rend les matériaux semi-conducteurs et un composé de pérovskite contenant du Ba, Ti, Sr et Ca. Quand les parties en moles totales de Ba, Sr et Ca et d'agent qui rend les matériaux semi-conducteurs présents dans la céramique semi-conductrice représentent 100, les parties en moles (a) du Sr contenu et les parties en moles (b) du Ca contenu satisfont les relations suivantes : quand 20,0 ≤ a ≤ 22,5, 12,5 ≤ b ≤ 17,5 ; et quand 22,5 ≤ a ≤ 25,0, 12,5 ≤ b ≤ 15,0. Quand les parties en moles totales du Ti et Mn présents dans la céramique semi-conductrice représentent 100, les parties en moles (c) du Mn contenu satisfont 0,030 ≤ c ≤ 0,045.
(JA)キュリー点が低く、室温付近の低い温度で動作させることが可能で、かつ、室温抵抗が低く、抵抗温度特性の高いチタン酸バリウム系半導体セラミックを用いたPTCサーミスタを提供する。 PTCサーミスタを構成する半導体セラミックとして、Ba、Ti、SrおよびCaを含むペロブスカイト型化合物と、Mnと、半導体化剤とを含有し、Ba、Sr、Caおよび半導体化剤の合計含有モル部を100としたときの、Srの含有モル部a、Caの含有モル部bが、 20.0≦a≦22.5のとき、12.5≦b≦17.5、 22.5≦a≦25.0のとき、12.5≦b≦15.0 であり、 TiおよびMnの合計含有モル部を100としたときの、Mnの含有モル部cが、0.030≦c≦0.045である半導体セラミックを用いる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)