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1. (WO2013065212) DÉTECTEUR DE RADIATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/065212    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/004366
Date de publication : 10.05.2013 Date de dépôt international : 05.07.2012
CIB :
H04N 5/32 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01)
Déposants : SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP) (Tous Sauf US).
DOKI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOKUDA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KISHIHARA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAINO, Masatomo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIMATSU, Akina [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIMUTA, Toshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANABE, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : DOKI, Takahiro; (JP).
TOKUDA, Satoshi; (JP).
KISHIHARA, Hiroyuki; (JP).
KAINO, Masatomo; (JP).
YOSHIMATSU, Akina; (JP).
YOSHIMUTA, Toshinori; (JP).
TANABE, Koichi; (JP)
Mandataire : SUGITANI, Tsutomu; Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-241193 02.11.2011 JP
Titre (EN) RADIATION DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE RADIATIONS
(JA) 放射線検出器
Abrégé : front page image
(EN)An FPD1 capacitor (11) is configured having a capacity of equal to or greater than 5 pF but equal to or less than 30 pF. Using a semiconductor layer (2) of either a CdTe or a CdZnTe polycrystalline film, a large number of electrical charges is created by an incident X-ray, and a large number of electrical charges is generated by a leakage current. These electrical charges can be accumulated in the capacitor (11). Specifically, a large number of electrical charges can be accumulated even when a high-sensitivity semiconductor layer (conversion layer) (2) is used, and the capacity of the capacitor (11) can be prevented from overflowing. When the capacity of the capacitor (11) is increased, reset noise increases. However, decreasing the reset noise with respect to an X-ray quanta noise that is relatively larger than the reset noise makes it possible to curb the impact on the S/N ratio.
(FR)Selon l'invention, un condensateur (11) d'un détecteur de rayons X à écran plat (FPD1) est configuré avec une capacité supérieure ou égale à 5pF et inférieure ou égale à 30pF. Beaucoup de charges électriques sont produites par incidence de rayons X à l'aide d'une couche semi-conductrice (2) d'un film polycristallin de CdTe ou CdZnTe, en outre, beaucoup de charges électriques sont produites par un courant de fuite. Ces charges électriques peuvent être stockées dans le condensateur (11). Il est donc possible de stocker beaucoup de charges électriques, y compris lorsqu'une couche semi-conductrice (couche de conversion) (2) de haute sensibilité est mise en œuvre, et il est également possible d'empêcher un dépassement de capacité du condensateur (11). De plus, lorsque la capacité du condensateur augmente, un bruit de réinitialisation augmente. Cependant, face à un bruit d'un quantum de rayon X relativement supérieur au bruit de réinitialisation, ce dernier est réduit, il est donc possible d'empêcher une influence sur un rapport S/N.
(JA) FPD1のコンデンサ11は、5pF以上30pF以下の容量で構成されている。CdTeまたはCdZnTeの多結晶膜の半導体層2によって、X線の入射で多くの電荷が生成され、また、リーク電流による多くの電荷が発生する。それらの電荷をコンデンサ11に蓄積することができる。すなわち、高感度の半導体層(変換層)2を採用した場合でも多くの電荷を蓄積することができ、コンデンサ11の容量がオーバーフローすることを防止することができる。また、コンデンサ11の容量の大きくするとリセットノイズが大きくなる。しかしながら、リセットノイズよりも比較的に大きなX線量子ノイズに対し、リセットノイズを小さくすることで、S/N比に与える影響を抑えることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)