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1. (WO2013063360) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE MATIÈRES CRISTALLINES OU POLYCRISTALLINES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/063360    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/062064
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 26.10.2012
CIB :
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/01 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : WINKLER, Mark, T.; (US).
BUONASSISI, Anthony; (US).
BRANDT, Riley, E.; (US).
AZIZ, Michael, J.; (US).
AKEY, Austin, Joseph; (US)
Mandataire : CONNORS, Matthew, E.; Gesmer Updegrove LLP 40 Broad Street Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
61/552,480 28.10.2011 US
13/660,213 25.10.2012 US
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING THIN LAYERS OF CRYSTALLINE OR POLYCRYSTALLINE MATERIALS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE MATIÈRES CRISTALLINES OU POLYCRISTALLINES
Abrégé : front page image
(EN)Method for making thin crystalline or polycrystalline layers. The method includes electrochemically etching a crystalline silicon template to form a porous double layer thereon, the double layer including a highly porous deeper layer and a less porous shallower layer. The shallower layer is irradiated with a short laser pulse selected to recrystallize the shallower layer resulting in a crystalline layer. Silicon is deposited on the recrystallized shallower layer and the silicon is irradiated with a short laser pulse selected to crystalize the silicon leaving a layer of crystallized silicon on the template. Thereafter, the layer of crystallized silicon is separated from the template. The process of the invention can be used to make optoelectronic devices.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de couches minces cristallines ou polycristallines. Le procédé consiste à soumettre à une gravure électrochimique une matrice de silicium cristallin pour former une double couche poreuse sur celle-ci, la double couche comprenant une couche plus profonde extrêmement poreuse et une couche moins profonde et moins poreuse. La couche moins profonde est irradiée par une impulsion laser courte, choisie pour recristalliser la couche moins profonde conduisant à une couche cristalline. Le silicium est déposé sur la couche moins profonde recristallisée et le silicium est irradié par une impulsion laser courte, choisie pour cristalliser le silicium laissant une couche de silicium cristallisé sur la matrice. Ensuite, la couche de silicium cristallisé est séparée de la matrice. Le procédé de l'invention peut être utilisé pour fabriquer des dispositifs optoélectroniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)