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1. (WO2013063038) DÉTECTEURS DE LUMIÈRE UV À BASE DE NITRURE SUR SUBSTRATS EN SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/063038 N° de la demande internationale : PCT/US2012/061581
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 24.10.2012
CIB :
H01L 31/102 (2006.01)
Déposants : ROSESTREET LABS, LLC; 3701 E. University Drive Phoenix, Arizona 85034, US
Inventeurs : FORCIER, Robert; US
WALUKIEWICZ, Wladyslaw; US
Mandataire : KURTZ, Richard; 450 S. Orange Avenue Suite 650 Orlando, Florida 32801, US
Données relatives à la priorité :
13/659,20624.10.2012US
61/550,86824.10.2011US
Titre (EN) NITRIDE UV LIGHT SENSORS ON SILICON SUBSTRATES
(FR) DÉTECTEURS DE LUMIÈRE UV À BASE DE NITRURE SUR SUBSTRATS EN SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN) An ultraviolet light sensor and method of manufacturing thereof are disclosed. The ultraviolet light sensor includes Group-Ill Nitride layers adjacent to a silicon wafer with one of the layers at least partially exposed such that a surface thereof can receive UV light to be detected. The Group-Ill Nitride layers include a p-type layer and an n-type layer, with p/n junctions therebetween forming at least one diode. Conductive contacts are arranged to conduct electrical current through the sensor as a function of ultraviolet light received at the outer Group- Ill Nitride layer. The Group-Ill Nitride layers may be formed from, e.g., GaN, InGaN, AlGaN, or InAlN. The sensor may include a buffer layer between one of the Group-Ill Nitride layers and the silicon wafer. By utilizing silicon as the substrate on which the UV sensor diode is formed, a UV sensor can be produced that is small, efficient, cost-effective, and compatible with other semiconductor circuits and processes. The sensor may be configured to be sensitive to a specific subtype or subband of ultraviolet radiation to be detected by selecting a specific composition of said Group-Ill Nitride layers.
(FR) Cette invention concerne un détecteur de lumière ultraviolette et son procédé de fabrication. Le détecteur de lumière ultraviolette selon l'invention comprend des couches de nitrure du Groupe III adjacentes à une plaquette de silicium, une des couches étant au moins partiellement exposée pour qu'une de ses surfaces puisse recevoir la lumière UV à détecter. Les couches de nitrure du Groupe III comprennent une couche de type p et une couche de type n, avec des jonctions p/n entre les deux pour former au moins une diode. Des contacts conducteurs sont utilisés pour conduire le courant électrique dans le détecteur en fonction de la lumière ultraviolette reçue sur la couche de nitrure du Groupe III la plus à l'extérieur. Les couches de nitrure du Groupe III peuvent être formées à partir de, par ex., GaN, InGaN, AlGaN, ou InAlN. Le détecteur peut comprendre une couche tampon entre une des couches de nitrure du Groupe III et la plaquette de silicium. L'utilisation du silicium en tant que substrat sur lequel la diode de détection UV est formée permet de produire un détecteur UV qui est petit, efficace, économique, et compatible avec d'autres circuits semi-conducteurs et procédés. Le détecteur peut être conçu pour être sensible à un sous-type ou à une sous-bande spécifique du rayonnement ultraviolet qui doit être détecté par le choix d'une composition spécifique desdites couches de nitrure de Groupe III.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)