WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013063032) ADAPTATEUR DE POLARISATION EN SPIRALE DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS DES DÉTECTEURS DE DÉRIVE SI ET DES RÉSEAUX DE DÉTECTEURS DE DÉRIVE SI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/063032    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/061573
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 24.10.2012
CIB :
G01T 1/24 (2006.01), G01N 23/00 (2006.01)
Déposants : BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES, LLC [US/US]; 40 Brookhaven Avenue, Building 460 Upton, New York 11973-5000 (US)
Inventeurs : LI, Zheng; (US).
CHEN, Wei; (US)
Mandataire : SACK, Alan M.; c/o Locke Lord LLP Three World Financial Center New York, New York 10281-2101 (US)
Données relatives à la priorité :
61/551,367 25.10.2011 US
Titre (EN) SPIRAL BIASING ADAPTOR FOR USE IN SI DRIFT DETECTORS AND SI DRIFT DETECTOR ARRAYS
(FR) ADAPTATEUR DE POLARISATION EN SPIRALE DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS DES DÉTECTEURS DE DÉRIVE SI ET DES RÉSEAUX DE DÉTECTEURS DE DÉRIVE SI
Abrégé : front page image
(EN)A drift detector array, preferably a silicon drift detector (SDD) array, that uses a low current biasing adaptor is disclosed. The biasing adaptor is customizable for any desired geometry of the drift detector single cell with minimum drift time of carriers. The biasing adaptor has spiral shaped ion-implants that generate the desired voltage profile. The biasing adaptor can be processed on the same wafer as the drift detector array and only one biasing adaptor chip/side is needed for one drift detector array to generate the voltage profiles on the front side and back side of the detector array.
(FR)L'invention concerne un réseau de détecteurs de dérive, de préférence un réseau de détecteurs de dérive au silicium (SDD), qui utilise un adaptateur de polarisation à faible courant. L'adaptateur de polarisation est personnalisable pour toute géométrie souhaitée de la cellule unique du détecteur de dérive, avec un temps de dérive minimal des porteuses. L'adaptateur de polarisation comporte des implants ioniques en spirale qui génèrent le profil de tension souhaité. L'adaptateur de polarisation peut être traité sur la même tranche que le réseau de détecteurs de dérive et seulement une puce/un côté de l'adaptateur de polarisation est nécessaire pour qu'un réseau de détecteurs de dérive génère les profils de tension sur le côté avant et le côté arrière du réseau de détecteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)