WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013062819) GRAVURE SOUS-JACENTE CONTRÔLABLE DE GRILLE MÉTALLIQUE EN ÉTAIN EN SE SERVANT DE TRAITEMENT NUMÉRIQUE DSP+
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/062819    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/060528
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 17.10.2012
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INTERMOLECULAR, INC. [US/US]; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : FOSTER, John; (US)
Mandataire : HELMS, Aubrey; Intermolecular, Inc. 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
13/280,900 25.10.2011 US
Titre (EN) CONTROLLABLE UNDERCUT ETCHING OF TIN METAL GATE USING DSP+
(FR) GRAVURE SOUS-JACENTE CONTRÔLABLE DE GRILLE MÉTALLIQUE EN ÉTAIN EN SE SERVANT DE TRAITEMENT NUMÉRIQUE DSP+
Abrégé : front page image
(EN)A wet process utilizing a dilute acid oxidant solution, for example, a dilute sulfuric acid with hydrogen peroxide is used in the fabrication of a metal gate electrode of a semiconductor device, offering high etch selectivity and high controllability to achieve a desired profile for the metal gate electrode. In some embodiments, the dilute acid oxidant solution is a dilute sulfuric peroxide solution, comprising at least 50% or 80% by weight of water, less than 30% or 15% by weight of sulfuric acid, and less than 20% or 20% of hydrogen peroxide with optionally less than 100 ppm or 30 ppm ozone. In some embodiments, the dilute sulfuric peroxide solution further comprises less than 100 ppm of hydrofluoric acid. The dilute acid oxidant solution can be used effectively to clean the metal gate electrode or to form an undercut on a metal gate layer of the metal gate electrode.
(FR)La présente invention concerne un traitement par voie humide utilisant une solution d'oxydant à acide dilué, par exemple, de l'acide sulfurique dilué avec du peroxyde d'hydrogène, qui sert à la fabrication d'une électrode de grille métallique d'un dispositif à semi-conducteurs, offrant une sélectivité de gravure élevée et une contrôlabilité élevée pour réaliser un profil souhaité pour l'électrode de grille métallique. Dans certains modes de réalisation, la solution d'oxydant à acide dilué est une solution de peroxyde sulfurique dilué, comprenant au moins 50 % ou 80 % en masse d'eau, moins de 30 % ou 15 % en masse d'acide sulfurique, et moins de 20 % ou 20 % de peroxyde d'hydrogène, avec en option moins de 100 ppm ou 30 ppm d'ozone. Dans certains modes de réalisation, la solution de peroxyde sulfurique dilué comprend en outre moins de 100 ppm d'acide fluorhydrique. La solution d'oxydant à acide dilué peut servir de manière efficace au nettoyage de l'électrode de grille métallique ou à la formation d'une gravure sous-jacente sur une couche de grille métallique de l'électrode de grille métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)