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1. (WO2013062804) GESTION THERMIQUE D'UN JONC DE BORDURE LORS DU TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/062804    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/060313
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 15.10.2012
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : PAL, Aniruddha; (US).
SALINAS, Martin Jeffrey; (US).
LUBOMIRSKY, Dmitry; (US).
YOUSIF, Imad; (US).
NGUYEN, Andrew; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, New Jersey 07702 (US)
Données relatives à la priorité :
61/552,749 28.10.2011 US
13/646,069 05.10.2012 US
Titre (EN) THERMAL MANAGEMENT OF EDGE RING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
(FR) GESTION THERMIQUE D'UN JONC DE BORDURE LORS DU TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus for processing semiconductors are provided herein. In some embodiments, an apparatus for processing a substrate may include: a first ring disposed concentrically about a substrate support, the first ring configured to position a substrate atop the substrate support during processing; and a second ring disposed between the substrate support and the first ring, the second ring configured to provide a heat transfer path from the first ring to the substrate support.
(FR)La présente invention se rapporte à un appareil permettant de traiter des semi-conducteurs. Selon certains modes de réalisation, un appareil permettant de traiter un substrat peut comprendre : une première bague disposée de manière concentrique autour d'un support de substrat, la première bague étant configurée pour positionner un substrat sur le support de substrat pendant le traitement ; et une seconde bague disposée entre le support de substrat et la première bague, la seconde bague étant configurée pour fournir une voie de transfert de chaleur allant de la première bague au support de substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)