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1. (WO2013062774) GRAPHÈNE NANOSTRUCTURÉ DOTÉ DE BORDS À UNIFORMITÉ ATOMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/062774    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/059668
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 11.10.2012
CIB :
C01B 31/02 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01)
Déposants : WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 614 Walnut Street Madison, Wisconsin 53726 (US)
Inventeurs : ARNOLD, Michael S.; (US).
GOPALAN, Padma; (US).
SAFRON, Nathaniel S.; (US).
KIM, Myungwoong; (US)
Mandataire : MANNING, Michelle; Bell & Manning, LLC 2801 West Beltline Highway, Ste. 210 Madison, Wisconsin 53713 (US)
Données relatives à la priorité :
13/282,666 27.10.2011 US
Titre (EN) NANOSTRUCTURED GRAPHENE WITH ATOMICALLY-SMOOTH EDGES
(FR) GRAPHÈNE NANOSTRUCTURÉ DOTÉ DE BORDS À UNIFORMITÉ ATOMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods of producing layers of patterned graphene with smooth edges are provided. The methods comprise the steps of fabricating a layer of crystalline graphene on a surface, wherein the layer of crystalline graphene has a crystallographically disordered edge, and decreasing the crystallographic disorder of the edge of the layer of crystalline graphene by heating the layer of crystalline graphene on the surface at an elevated temperature in a catalytic environment comprising carbon-containing molecules.
(FR)La présente invention concerne des procédés de production de couches de graphène à motif doté de bords uniformes. Les procédés consistent à fabriquer une couche de graphène cristallin sur une surface, la couche de graphène cristallin possédant un bord désordonné d'un point de vue cristallographique, et à réduire ledit désordre du bord de la couche de graphène cristallin par le chauffage de la couche de graphène cristallin sur la surface à une température élevée dans un environnement catalytique comprenant des molécules contenant du carbone.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)