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1. (WO2013062595) FLIP-FLOP À TRANSITION DE PHASE MÉTAL-ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/062595    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/058461
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 28.10.2011
CIB :
H03K 3/356 (2006.01), G11C 19/00 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, Texas 77070 (US) (Tous Sauf US).
RIBEIRO, Gilberto M. [BR/US]; (US) (US Seulement).
PICKETT, Matthew D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RIBEIRO, Gilberto M.; (US).
PICKETT, Matthew D.; (US)
Mandataire : COLLINS, David W.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration 3404 E. Harmony Drive Mail Stop 35 Fort Collins, Colorado 80528 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METAL-INSULATOR PHASE TRANSITION FLIP-FLOP
(FR) FLIP-FLOP À TRANSITION DE PHASE MÉTAL-ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN)A metal-insulator phase transition (MIT) flip-flop employs a selected one of a pair of bi-stable operating states to represent a logic state of the MIT flip-flop. The MIT flip-flop includes an MIT device having a current-controlled negative differential resistance (CC-NDR) to provide the pair of bi-stable operating states. A bi-stable operating state of the pair is capable of being selected by a programing voltage. Once the bi-stable operating state is selected, the bi-stable operating state is capable of being maintained by a bias voltage applied to the MIT device.
(FR)Cette invention concerne un flip-flop à transition de phase métal-isolant (MIT) qui utilise un état sélectionné parmi une paire d'états de fonctionnement bistables pour représenter un état logique du flip-flop MIT. Ledit flip-flop MIT comprend un dispositif MIT qui présente une résistance différentielle négative contrôlée par courant (CC-NDR) afin d'obtenir la paire d'états de fonctionnement bistables. Un état de fonctionnement bistable de la paire peut être sélectionné grâce à une tension de programmation. Une fois qu'il est sélectionné, l'état de fonctionnement bistable peut être maintenu grâce à une tension de polarisation appliquée sur le dispositif MIT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)