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1. (WO2013062590) STRUCTURE D'INTERCONNEXION EN 3D QUI COMPREND DES TROUS D'INTERCONNEXION TRAVERSANT LE SILICIUM ET COMBINÉS À DES LIGNES DE REDISTRIBUTION MÉTALLIQUES ARRIÈRE À PAS FIN FABRIQUÉES À L'AIDE D'UNE APPROCHE DE TYPE DAMASCÈNE DOUBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/062590    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/058407
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 28.10.2011
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/14 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
LEE, Kevin, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
BOHR, Mark, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
YEOH, Andrew, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
PELTO, Christopher, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
KOTHARI, Hiten [IN/US]; (US) (US Seulement).
SATTIRAJU, Seshu, V. [IN/US]; (US) (US Seulement).
MA, Hang-Shing [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Kevin, J.; (US).
BOHR, Mark, T.; (US).
YEOH, Andrew, W.; (US).
PELTO, Christopher, M.; (US).
KOTHARI, Hiten; (US).
SATTIRAJU, Seshu, V.; (US).
MA, Hang-Shing; (US)
Mandataire : AIKIN, Jacob, T.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman LLP 1279 Oamead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) 3D INTERCONNECT STRUCTURE COMPRISING THROUGH-SILICON VIAS COMBINED WITH FINE PITCH BACKSIDE METAL REDISTRIBUTION LINES FABRICATED USING A DUAL DAMASCENE TYPE APPROACH
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION EN 3D QUI COMPREND DES TROUS D'INTERCONNEXION TRAVERSANT LE SILICIUM ET COMBINÉS À DES LIGNES DE REDISTRIBUTION MÉTALLIQUES ARRIÈRE À PAS FIN FABRIQUÉES À L'AIDE D'UNE APPROCHE DE TYPE DAMASCÈNE DOUBLE
Abrégé : front page image
(EN)A 3D interconnect structure and method of manufacture are described in which a through-silicon vias (TSVs) and metal redistribution layers (RDLs) are formed using a dual damascene type process flow. A silicon nitride or silicon carbide passivation layer may be provided between the thinned device wafer back side and the RDLs to provide a hermetic barrier and etch stop layer during the process flow.
(FR)La présente invention se rapporte à une structure d'interconnexion en 3D et à un procédé de fabrication, des trous d'interconnexion traversant le silicium (TSV) et des couches de redistribution métalliques (RDL) étant formés à l'aide d'un procédé de traitement de type damascène double. Une couche de passivation au nitrure de silicium ou au carbure de silicium peut être agencée entre la face arrière de la tranche de dispositif amincie et les couches RDL afin d'offrir une couche barrière hermétique et d'arrêt de gravure pendant le déroulement du procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)