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1. (WO2013062026) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE FEUILLE D'ALUMINIUM POREUX, FEUILLE D'ALUMINIUM POREUX, COLLECTEUR D'ÉLECTRODE POSITIVE POUR UN DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉLECTRICITÉ, ÉLECTRODE POUR UN DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉLECTRICITÉ ET DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉLECTRICITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/062026 N° de la demande internationale : PCT/JP2012/077538
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 25.10.2012
CIB :
C25D 1/08 (2006.01) ,C25D 1/00 (2006.01) ,C25D 3/66 (2006.01) ,H01G 11/66 (2013.01) ,H01M 4/66 (2006.01)
Déposants : HITACHI METALS, LTD.[JP/JP]; 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058614, JP
Inventeurs : OKAMOTO Atsushi; JP
Mandataire : TSUJITA Takashi; KT building 4F, 11-12, Takada 3-chome, Toshima-ku, Tokyo 1710033, JP
Données relatives à la priorité :
2011-23585827.10.2011JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING POROUS ALUMINUM FOIL, POROUS ALUMINUM FOIL, POSITIVE ELECTRODE COLLECTOR FOR ELECTRICITY STORAGE DEVICE, ELECTRODE FOR ELECTRICITY STORAGE DEVICE, AND ELECTRICITY STORAGE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE FEUILLE D'ALUMINIUM POREUX, FEUILLE D'ALUMINIUM POREUX, COLLECTEUR D'ÉLECTRODE POSITIVE POUR UN DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉLECTRICITÉ, ÉLECTRODE POUR UN DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉLECTRICITÉ ET DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉLECTRICITÉ
(JA) 多孔アルミニウム箔の製造方法、多孔アルミニウム箔、蓄電デバイス用正極集電体、蓄電デバイス用電極、および、蓄電デバイス
Abrégé : front page image
(EN) This method for manufacturing a porous aluminum foil is characterized in comprising: forming a porous aluminum coating on the surface of a substrate by electrolysis using a plating solution including at least (1) a dialkyl sulfone, (2) an aluminum halide, and (3) a nitrogen-containing compound and having a water content of 100-2000 ppm; and subsequently peeling the coating from the substrate. The nitrogen-containing compound is preferably at least one species selected from the group consisting of an ammonium halide, a hydrogen halide salt of a primary amine, a hydrogen halide salt of a secondary amine, a hydrogen halide salt of a tertiary amine, and a quaternary ammonium salt represented by the general formula: R1R2R3R4N•X (wherein R1 to R4 may be the same or different and represent an alkyl group, and X represents a counteranion for the quaternary ammonium cation).
(FR) Ce procédé de fabrication d'une feuille d'aluminium poreux est caractérisé en ce qu'il comprend : une formation d'un revêtement d'aluminium poreux sur la surface d'un substrat par électrolyse à l'aide d'une solution de placage comprenant au moins (1) une sulfone dialkylique, (2) un halogénure d'aluminium et (3) un composé contenant de l'azote et ayant une teneur en eau de 100-2 000 ppm ; et ultérieurement un pelage du revêtement à partir du substrat. Ce composé contenant de l'azote est de préférence au moins une espèce choisie dans le groupe consistant en un halogénure d'ammonium, un sel d'halogénure d'hydrogène d'une amine primaire, un sel d'halogénure d'hydrogène d'une amine secondaire, un sel d'halogénure d'hydrogène d'une amine tertiaire et un sel d'ammonium quaternaire représenté par la formule générale : R1R2R3R4N•X (dans laquelle R1 à R4 peuvent être identiques ou différents et représentent un groupe alkyle et X représente un contre-anion pour le cation ammonium quaternaire).
(JA)  本発明の多孔アルミニウム箔の製造方法は、(1)ジアルキルスルホン、(2)アルミニウムハロゲン化物、および、(3)含窒素化合物を少なくとも含み、かつ、含水量が100~2000ppmであるめっき液を用いた電解法によって多孔アルミニウム被膜を基材の表面に形成した後、当該被膜を基材から剥離することを特徴とする。前記含窒素化合物としては、ハロゲン化アンモニウム、第一アミンのハロゲン化水素塩、第二アミンのハロゲン化水素塩、第三アミンのハロゲン化水素塩、一般式:RN・X(R~Rは同一または異なってアルキル基、Xは第四アンモニウムカチオンに対するカウンターアニオンを示す)で表される第四アンモニウム塩からなる群から選択される少なくとも1つが望ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)