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1. (WO2013061771) COMPOSITION DESTINÉE AU POLISSAGE, PROCÉDÉ DE POLISSAGE UTILISANT LADITE COMPOSITION, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/061771    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076125
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 09.10.2012
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01)
Déposants : FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502 (JP)
Inventeurs : TSUCHIYA, Kohsuke; (JP).
MORI, Yoshio; (JP).
TAKAMI, Shinichiro; (JP).
TAKAHASHI, Shuhei; (JP)
Mandataire : ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-233208 24.10.2011 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR POLISHING PURPOSES, POLISHING METHOD USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION DESTINÉE AU POLISSAGE, PROCÉDÉ DE POLISSAGE UTILISANT LADITE COMPOSITION, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT
(JA) 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a composition for polishing purposes, which comprises abrasive grains, a water-soluble polymer, an aggregation inhibitor and water, said composition being characterized in that the R1/R2 ratio is 1.3 or less wherein R1 represents the average particle diameter of particles present in the composition for polishing purposes and R2 represents the average particle diameter of the abrasive grains when the abrasive grains are dispersed in water at the same concentration as that of the abrasive grains in the composition for polishing purposes. The composition for polishing purposes can be used mainly for polishing the surface of a silicon substrate.
(FR)La présente invention concerne une composition destinée au polissage, comprenant des grains abrasifs, un polymère soluble dans l'eau, un inhibiteur d'agrégation et de l'eau, ladite composition étant caractérisée en ce que le rapport R1/R2 est inférieur ou égal à 1,3, R1 représentant le diamètre moyen de particules présentes dans la composition destinée au polissage et R2 représentant le diamètre moyen de particule des grains abrasifs lorsque les grains abrasifs sont dispersés dans de l'eau à la même concentration que celle des grains abrasifs dans la composition destinée au polissage. La composition destinée au polissage peut être utilisée principalement pour polir la surface d'un substrat en silicium.
(JA) 砥粒、水溶性高分子、凝集抑制剤及び水を含有する研磨用組成物であって、前記研磨用組成物中に存在する粒子の平均粒子径をR1、前記砥粒を前記研磨用組成物中の砥粒の濃度と同じになるように水中に分散させたときの砥粒の平均粒子径をR2とした場合、R1/R2が1.3以下であることを特徴とする研磨用組成物を提供する。この研磨用組成物は、シリコン基板の表面を研磨する用途で主に使用される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)