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1. (WO2013061730) ÉLÉMENT À CAPACITÉ ÉLECTROSTATIQUE ET CIRCUIT RÉSONANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/061730    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/075488
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 02.10.2012
CIB :
H01G 4/232 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01), H01G 4/30 (2006.01), H01G 7/06 (2006.01), H03H 5/02 (2006.01), H03H 5/12 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : SATO, Noritaka; (JP).
KANNO, Masayoshi; (JP)
Mandataire : KAMEYA, Yoshiaki; HAZUKI INTERNATIONAL YOTSUYA, Daiichi Tomizawa Building, 3-1-3, Yotsuya, Shinjuku-ku, Tokyo 1600004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-232896 24.10.2011 JP
Titre (EN) ELECTROSTATIC CAPACITANCE ELEMENT AND RESONANCE CIRCUIT
(FR) ÉLÉMENT À CAPACITÉ ÉLECTROSTATIQUE ET CIRCUIT RÉSONANT
(JA) 静電容量素子、及び共振回路
Abrégé : front page image
(EN)This capacitance element (variable capacitance element (1)) comprises: a capacitance element main body (2) comprising a dielectric layer, and at least one pair of internal electrodes (10) formed having the dielectric layer sandwiched therebetween; and external terminals (3, 4) formed on a side surface of the capacitance element main body (2), and electrically connected to an internal electrode (10). In addition, the capacitance element is configured such that stress generated as a result of the difference between the linear expansion coefficients of the dielectric layer (5) and the internal electrodes is concentrated at the center of a capacitor (C) configured by the dielectric layer (5) and the pair of internal electrodes (10) having the dielectric layer (5) sandwiched therebetween.
(FR)L'invention concerne un élément capacitif (élément à capacité variable (1)) qui comprend : un corps principal d'élément capacitif (2) comprenant une couche diélectrique et au moins une paire d'électrodes internes (10) formées avec la couche diélectrique prise en sandwich entre elles; et des bornes externes (3, 4) formées sur une surface latérale du corps principal d'élément capacitif (2) et connectées électriquement à une électrode interne (10). En outre, l'élément capacitif est configuré de manière à ce que la contrainte produite du fait de la différence entre les coefficients d'expansion linéaire de la couche diélectrique (5) et les électrodes internes soit concentrée au centre d'un condensateur (C) formé par la couche diélectrique (5) et la paire d'électrodes internes (10) ayant la couche diélectrique (5) prise en sandwich entre elles.
(JA) 本発明の容量素子(可変容量素子1)は、誘電体層と、誘電体層を挟んで形成される少なくとも一対の内部電極10とを備える容量素子本体2と、容量素子本体2の側面に形成され、内部電極10に電気的に接続される外部端子3,4とを備える。そして、誘電体層5及び内部電極の線膨張係数の違いに起因して発生する応力が、誘電体層5と誘電体層5を挟む一対の内部電極10とで構成されるコンデンサCの中心に集中するように構成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)