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1. (WO2013061702) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/061702 N° de la demande internationale : PCT/JP2012/073189
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 11.09.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 18.01.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
Déposants : SHIOMI, Hiromu[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHIMAZU, Mitsuru[JP/JP]; JP (UsOnly)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : SHIOMI, Hiromu; JP
SHIMAZU, Mitsuru; JP
Mandataire : Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2011-27668619.12.2011JP
61/550,67824.10.2011US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) An MOSFET manufacturing method of the present invention is provided with: a step of preparing a substrate (10) composed of a silicon carbide; a step of forming a gate oxide film (20) in contact with the substrate (10); and a step of introducing nitrogen atoms into a region that includes an interface between the substrate (10) and a gate oxide film (20). In the step of introducing nitrogen atoms, the substrate (10) having the gate oxide film (20) formed thereon is heated in an atmosphere gas formed by heating a nitride process gas, which contains nitrogen atoms but does not contain oxygen atoms, to a temperature above 1,200°C, thereby introducing nitrogen atoms into the region including the boundary between the substrate (10) and the gate oxide film (20).
(FR) Un procédé de fabrication de transistor à effet de champ à oxydes métalliques (MOSFET) de la présente invention comporte : une étape de préparation d'un substrat (10) composé d'un carbure de silicium ; une étape de formation d'un film d'oxyde de grille (20) en contact avec le substrat (10) ; et une étape d'introduction d'atomes d'azote dans une région qui comprend une interface entre le substrat (10) et un film d'oxyde de grille (20). Dans l'étape d'introduction d'atomes d'azote, le substrat (10) ayant le film d'oxyde de grille (20) formé sur celui-ci est chauffé dans un gaz atmosphérique formé par chauffage d'un gaz de traitement nitrure, qui contient des atomes d'azote mais ne contient pas d'atomes d'oxygène, à une température au-dessus de 1 200°C, introduisant ainsi des atomes d'azote dans la région comprenant la limite entre le substrat (10) et le film d'oxyde de grille (20).
(JA)  MOSFETの製造方法は、炭化珪素からなる基板(10)を準備する工程と、基板(10)に接触するゲート酸化膜(20)を形成する工程と、基板(10)とゲート酸化膜(20)との界面を含む領域に窒素原子を導入する工程とを備えている。そして、窒素原子を導入する工程では、ゲート酸化膜(20)が形成された基板(10)を、窒素原子を含み酸素原子を含まない窒化処理ガスが1200℃を超える温度に加熱されて形成された雰囲気ガス中において加熱することにより、基板(10)とゲート酸化膜(20)との界面を含む領域に窒素原子が導入される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)